Alla kategorier

IGBT Discrete

IGBT Discrete

Hemsida /  Produkter  /  IGBT Discrete

DG25X12T2, IGBT diskret, STARPOWER

1200V,25A

Brand:
STARPOWER
  • Introduktion
Introduktion

En vänlig påminnelse. :F eller mer IGBT Discrete , vänligen skicka ett e-postmeddelande.

Funktioner

  • Lågt VCE (sat) Gräv IGBT Teknologi
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • Låga bytesförluster
  • Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
  • Låg induktanshus
  • VCE (sat) Med positiv Temperatur Koefficient
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Förpackning utan bly

Typisk Användning

  • Inverterare för motordrivning
  • Förstärkare för AC- och DC-servoanström
  • Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 110O C

50

25

A

jag CM

Pulsad samlarström t P begränsad av T jmax

100

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

573

W

Diod

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framström @ T C = 110O C

25

A

jag FM

Diod Maximal Framåt Nuvarande t P begränsad Av t jmax

100

A

Diskret

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +175

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-55 till +150

O C

t s

Lödtemperatur,1.6mm fro m hölje för 10s

260

O C

M

Monteringsmoment Skruv M3

0.6

N.M

IGBT Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =25A, V Generella =15V,

t j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =25A, V Generella =15V,

t j =125 O C

1.95

jag C =25A, V Generella =15V,

t j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =0.63 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

2.59

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.07

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

0.19

μC

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =25A, r G =20Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

28

N

t r

Uppgångstid

17

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

196

N

t F

Hösttid

185

N

E

Tänd Växling

Förlust

1.71

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

1.49

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =25A, r G =20Ω,V Generella =± 15 V, t j =125 O C

28

N

t r

Uppgångstid

21

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

288

N

t F

Hösttid

216

N

E

Tänd Växling

Förlust

2.57

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

2.21

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =25A, r G =20Ω,V Generella =± 15 V, t j = 150 O C

28

N

t r

Uppgångstid

22

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

309

N

t F

Hösttid

227

N

E

Tänd Växling

Förlust

2.78

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

2.42

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

100

A

Diod Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =25A,V Generella =0V,T j =25 O C

2.20

2.65

V

jag F =25A,V Generella =0V,T j = 125O C

2.30

jag F =25A,V Generella =0V,T j = 150O C

2.25

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V Generella =-15V t j =25 O C

1.43

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

34

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

0.75

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V Generella =-15V t j = 125O C

2.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

42

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

1.61

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V Generella =-15V t j = 150O C

2.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

44

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

2.10

MJ

Diskret Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.262

0.495

K/W

r TJA

Sammanslutning med omgivning

40

K/W

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett offert

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000