Snabbavstängande tyristormoduler

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

600V

MKx75-06-216F3B

MHx75-06-216F3B

800V

MKx75-08-216F3B

MHx75-08-216F3B

1000V

MKx75-10-216F3B

MHx75-10-216F3B

1200V

MKx75-12-216F3B

MHx75-12-216F3B

1400V

MKx75-14-216F3B

MHx75-14-216F3B

1600V

MKx75-16-216F3B

MHx75-16-216F3B

1800V

MKx75-18-216F3B

MHx75-18-216F3B

1800V

MK75-18-216F3BG

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( 。C)

värde

enhet

min

Typ

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。Halv sinusvåg 50 Hz Enkel sida kyld,Tc=85 。C

125

75

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

118

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

30

mA

jag _TSM

Överspännings påslagsström

10ms halvsinusböljan VR=60%VRRM

125

1.6

kA

jag ²t

I2t för smältkoordination

13

10³A ²s

V _till

Tröskelspänning

125

1.50

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

4.00

mΩ

V _TM

Topp påslags spänning

ITM=225A

25

2.53

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

jag _GT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

150

mA

V _GT

Portutlösningsspänning

0.8

2.5

V

jag _H

Hållström

20

200

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

V _GD

Icke-utlösningsportspänning

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.20

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.04

℃ /W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

FM

Terminalanslutningstorque (M6)

4.5

6.0

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

320

G

Översikt

216F3B