800A,600V tot 1800V,411F3
productbrochure:download
korte inleiding
Thyristor/diodemodulee, MTx800 MFx800 MT1,800a.,waterkoeling，geproduceerd door TECHSEM .
korte inleiding
Thyristor/diodemodulee, MTx800 MFx800 MT800，800a.,waterkoeling，geproduceerd door TECHSEM .
VRRM,VDRM | Type & Omtrek | |
600 V | MT2 vervoersdiensten | MFx800-06-411F3 |
800 V | MT2 vervoersdiensten | MFx800-08-411F3 |
1000 V | MT3 vervoersdiensten | MFx800-10-411F3 |
1200 V | MT3 vervoersdiensten | MFx800-12-411F3 |
1400V | MT3 verwerking van afvalstoffen | MFx800-14-411F3 |
1600V | MTx800-16-411F3 | MFx800-16-411F3 |
1800V | MT3 verwerking van afvalstoffen | MFx800-18-411F3 |
1800V | MT3V2 |
|
MTx staat voor elk typeMTC, MTA, MTK
MFx staat voor elk typeMFC, MFA, MFK
kenmerken
typische toepassingen
Symbool |
kenmerkend |
Testomstandigheden | Tj(°C) | waarde |
eenheid | ||
Min | type | max. | |||||
IT(AV) | Gemiddelde aan-stroom | 180- Ik ben hier.halve sinusgolf 50Hz Eenzijdig gekoeld, THS=55°C |
125 |
|
| 800 | a. |
IT ((RMS) | RMS aanhoudende stroom |
|
| 1256 | a. | ||
Idrm Irrm | Herhalende piekstroom | bij VDRM bij VRRM | 125 |
|
| 45 | - Ik ben... |
ITSM | Surge aan-stroom | VR=60%VRRM,t= 10 ms halve sinus | 125 |
|
| 22.0 | Ka |
I2t | I2t voor smeltcoördinatie | 125 |
|
| 2420 | 103a.2s | |
VTO | De spanning van de spanning moet worden bepaald door de volgende factoren: |
|
125 |
|
| 0.90 | v |
rt | Aan-stroom hellingsweerstand |
|
| 0.35 | mΩ | ||
VTM | Piek aan-stroomspanning | ITM=2400A | 25 |
|
| 1.95 | v |
dv/dt | Kritieke stijgsnelheid van de uitschakelspanning | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Kritieke stijgsnelheid van on-state stroom | Gatebron 1.5A tr ≤0.5μs Herhalend | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Poort triggerstroom |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | - Ik ben... |
Vgt | Poort trigger spanning | 0.8 |
| 3.0 | v | ||
IH | Vasthoudstroom | 10 |
| 200 | - Ik ben... | ||
- Het | Vergrendelstroom |
|
| 1000 | - Ik ben... | ||
VGD | Niet-trigger poortspanning | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | v |
Rth(j-c) | Thermische weerstand Junction naar behuizing | Enkelzijdig gekoeld per chip |
|
|
| 0.050 | °C/W |
Rth(c-h) | Thermische weerstand behuizing naar koellichaam | Enkelzijdig gekoeld per chip |
|
|
| 0.024 | °C/W |
VISO | Isolatiespanning | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
fm | Het koppel van de aansluiting van de terminal ((M12) |
|
| 12 |
| 16 | N·m |
Montage-koppel ((M8) |
|
| 10 |
| 12 | N·m | |
Tvj | verbindingstemperatuur |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | Opgeslagen temperatuur |
|
| -40 |
| 125 | °C |
wt | gewicht |
|
|
| 3230 |
| g |
overzicht | 411F3 | ||||||
Ons professionele verkoopteam wacht op uw consult.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.
EN
