Modul IGBT 1700V

(Simbol)

(Parameter)

(Syarat ujian)

(nilai)

(Unit)

VCES

Voltan kolektor-emiter

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

I C

Arus kolektor-penerbit

Kes T = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

A

I C (((PK)

Arus puncak kolektor

tP = 1ms

4800

A

P max

Max. pembaziran kuasa transistor

Tvj = 150°C, kes T = 25 °C

19.2

kw

I 2t

Dioda I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Visol

Voltan penebat setiap modul

(Terminal biasa ke plat asas),

AC RMS,1 minit, 50Hz

4000

V

Q PD

Pelepasan separa setiap modul

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

PC

Tcase = 25 °C T case = 25°C kecuali dinyatakan sebaliknya

(Simbol)

(Parameter)

(Syarat ujian)

(Min)

(Jenis)

(Max)

(Unit)

I CES

Arus pemotongan kolektor

V GE = 0V, VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C

40

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C

60

mA

I GES

Pasaran kebocoran pintu

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V GE (TH)

Voltan ambang pintu

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE (berada)

Penuh kolektor-emiter

voltan

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

V

I F

Diod arus ke hadapan

DC

2400

A

I FRM

Arus Maju Maksimum Dioda

t P = 1ms

4800

A

VF(*1)

Voltan dioda ke hadapan

IF = 2400A

1.65

V

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

V

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

V

Ces

Kapasiti input

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

NF

Qg

Bayaran pintu

±15V

19

μC

Cres

Kapasiti pemindahan terbalik

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

NF

L M

Induktansi modul

10

nH

R INT

Rintangan transistor dalaman

110

μΩ

I SC

Arus litar pintas, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

A

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

n

t f

Waktu kejatuhan

500

n

E OFF

Kehilangan tenaga penutupan

1050

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

450

n

tr

Masa naik

210

n

EON

Kehilangan tenaga semasa menyala

410

mJ

Qrr

Muatan pemulihan diod terbalik

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

μC

I r

Diod arus pemulihan terbalik

1000

A

Erec

Diod pemulihan tenaga terbalik

320

mJ

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

n

t f

Waktu kejatuhan

510

n

E OFF

Kehilangan tenaga penutupan

1320

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

450

n

tr

Masa naik

220

n

EON

Kehilangan tenaga semasa menyala

660

mJ

Qrr

Muatan pemulihan diod terbalik

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

μC

I r

Diod arus pemulihan terbalik

1200

A

Erec

Diod pemulihan tenaga terbalik

550

mJ

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

n

t f

Waktu kejatuhan

510

n

E OFF

Kehilangan tenaga penutupan

1400

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

450

n

tr

Masa naik

220

n

EON

Kehilangan tenaga semasa menyala

820

mJ

Qrr

Muatan pemulihan diod terbalik

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

μC

I r

Diod arus pemulihan terbalik

1250

A

Erec

Diod pemulihan tenaga terbalik

620

mJ