T65ZPR, Dioda Pengubahsuaian

Saya _T(AV)

4380A

V _RRM

5200V 5600V

6000V 6500V

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

Nilai

Unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180。gelombang separuh sinus 50Hz Dingin sisi berganda,

TC= 100 ℃

150

1510

A

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

tp=10ms

150

5600

6500

V

IRRM

Arus puncak berulang

Pada VRRM

150

150

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

150

26

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

3380

A ²s* 10 ³

VFO

Voltan Ambang

150

0.92

V

rF

Rintangan cerun hadapan

0.39

mΩ

VFM

Voltaj puncak hadapan

IFM=3000A, F=34kN

25

1.85

V

Qrr

Bayaran pemulihan

IFM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

150

5000

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 180 ° sinus, penyejukan sisi berganda Daya cengkaman 34kN

0.014

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

0.0035

FM

Kekuatan Pemasangan

27

34

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

150

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

160

℃

Wt

Berat

820/ 1100

g

Gambaran Ringkas

ZT60cT / ZT60dT