Y89ZKD, Dioda Pemulihan Cepat

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj(℃)

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180° gelombang separuh sinus 50Hz Dingin sisi berganda,

TC=85℃

150

4000

A

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

tp=10ms

150

2100

3000

V

IRRM

Arus puncak berulang

pada V _RRM

150

300

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms separuh gelombang sinus VR=0.6V _RRM

150

44

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

9680

A ²s*10 ³

VFO

Voltan Ambang

150

0.96

V

rF

Rintangan cerun hadapan

0.12

mΩ

VFM

Voltaj puncak hadapan

IFM=5000A, F=35kN

25

2.20

V

IRM

Arus Pemulihan Balik

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

150

350

A

trr

Masa Pemulihan Balik

12

μs

Qrr

Bayaran pemulihan

4300

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Dingin sisi berganda

0.007

℃/W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes kepada sink haba

0.002

FM

Kekuatan Pemasangan

63

84

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

150

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

160

℃

Wt

Berat

1390

G

Gambaran Ringkas

ZT84cT