Y70ZKD, Dioda Pemulihan Cepat

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

Nilai

Unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180。gelombang separuh sinus 50Hz Dingin sisi berganda,

TC=85 ℃

150

1876

A

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

tp=10ms

150

2100

3000

V

IRRM

Arus puncak berulang

pada VRRM

150

195

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

150

25

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

3125

A ²s*10 ³

VFO

Voltan Ambang

150

1.55

V

rF

Rintangan cerun hadapan

0.29

mΩ

VFM

Voltaj puncak hadapan

ITM=3000A, F=35kN

25

3.20

V

IRM

Arus Pemulihan Balik

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

150

260

A

trr

Masa Pemulihan Balik

10

μs

Qrr

Bayaran pemulihan

1300

1500

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 180 ° sinus, daya pengetatan disejukkan dua sisi 35kN

0.012

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes kepada sink haba

0.003

FM

Kekuatan Pemasangan

30

40

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

150

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

160

℃

Wt

Berat

880

g

Gambaran Ringkas

ZT60cT