Y60ZKD, Dioda Pemulihan Cepat

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180° gelombang separuh sinus 50Hz Dingin sisi berganda,

TC=85 。C

150

1508

A

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

tp=10ms

150

2100

3000

V

IRRM

Arus puncak berulang

pada VRRM

150

145

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

150

20

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

2000

A2s*103

VFO

Voltan Ambang

150

1.58

V

rF

Rintangan cerun hadapan

0.30

mΩ

VFM

Voltaj puncak hadapan

ITM=2000A, F=28kN

25

2.80

V

IRM

Arus Pemulihan Balik

ITM=1000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

150

200

A

trr

Masa Pemulihan Balik

8

μs

Qrr

Bayaran pemulihan

800

1010

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 180 ° sinus, penyejukan dua sisi Daya cengkaman 28kN

0.016

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes kepada sink haba

0.004

FM

Kekuatan Pemasangan

21

30

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

150

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

160

℃

Wt

Berat

640

G

Gambaran Ringkas

ZT54cT