Y56ZPA,Diod Pengelasan Tanpa Perumahan

Saya T(AV)

10500A

V DRM ,V RRM

200V 400V

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180° separuh gelombang sinus 50Hz

Dingin sisi berganda, TC=85 。C

175

10500

A

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

tp=10ms

175

200

400

V

IRRM

Arus puncak berulang

pada VRRM

175

50

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms separuh gelombang sinus VR=0VRRM

175

70

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

24500

103A2s

VFO

Voltan Ambang

IFM=7000-21000A

175

0.81

V

rF

Ketahanan cerun ke hadapan

0.026

mΩ

VFM

Voltan puncak maksimum semasa keadaan aktif

IFM=6000A

25

1.00

V

Qrr

Bayaran pemulihan

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

175

300

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 1800 sinus, sisi berganda sejuk

0.005

。C /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes kepada sink haba

0.0025

FM

Kekuatan Pemasangan

30

40

50

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

175

。C

TSTG

Suhu simpanan

-40

175

。C

Wt

Berat

110

G

Gambaran Ringkas

Z50T