Y50ZYD,Diod Pemulihan Lembut

Saya _T(AV)

1500A

V _RRM

1800V 2000V

2200V 2500V

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180° gelombang separuh sinus 50Hz Dingin sisi berganda,

Tsink=55 ℃

125

1500

A

IRRM

Arus puncak berulang

pada VRRM

125

85

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

125

19.6

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

1920.8

A2s*103

VFO

Voltan Ambang

125

1.16

V

rF

Rintangan cerun hadapan

0.29

mΩ

VFM

Voltaj puncak hadapan

@IFM=1500A,

F=24kN

25

1.76

V

@IFM=3000A,

125

2.03

VFRM

Voltan pemulihan hadapan maksimum

di/dt=1000A/µs

125

45

V

25

28

V

IRM

Arus Pemulihan Balik

IFM=1000A,tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

144

A

trr

Masa Pemulihan Balik

4.5

μs

Qrr

Bayaran pemulihan

650

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 180 。Sinus, sisi bersalin berganda Kuasa pengikat 24kN

0.021

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes kepada sink haba

0.005

FM

Kekuatan Pemasangan

19

26

kN

Tjop

Julat suhu operasi

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

150

℃

Wt

Berat

440

G

Gambaran Ringkas

ZT50cT