Y50ZYB, Dioda Pemulihan Lembut

Saya _T(AV)

1800A

V _RRM

800V 1000V

1200V 1400V

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180。gelombang separuh sinus 50Hz Dingin sisi berganda,

Tsink=55 ℃

125

1800

A

IRRM

Arus puncak berulang

pada VRRM

125

100

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

125

25

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

3125

A ²s*10 ³

VFO

Voltan Ambang

125

1.150

V

rF

Rintangan cerun hadapan

0.138

mΩ

VFM

Voltaj puncak hadapan

@ IFM=3000A

F=24kN

25

1.70

V

@ IFM=4500A

125

1.77

VFRM

Voltan pemulihan hadapan maksimum

di/dt=1000A/µs

125

14

V

25

10

V

IRM

Arus Pemulihan Balik

IFM=1000A, tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

50

A

trr

Masa Pemulihan Balik

3.0

μs

Qrr

Bayaran pemulihan

150

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 180 ° Sinus, sisi bersalin berganda Kuasa pengikat 24kN

0.021

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes kepada sink haba

0.005

FM

Kekuatan Pemasangan

19

26

kN

Tjop

Julat suhu operasi

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

150

℃

Wt

Berat

440

G

Gambaran Ringkas

ZT50cT