Y100KFG, Thyristor Pemutus Pantas Tidak Simetri

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj(°C )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IT ((AV)

purata semasa keadaan

180。separuh gelombang sinus 50Hz Dingin dua sisi

TC=55°C

125

4890

A

Idrm Irrm

Arus puncak berulang

pada VDRM tp= 10ms pada VRRM tp= 10ms

125

250

mA

ITSM

Tambah semasa semasa

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

125

63

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

19845

103A2s

VTO

Voltan Ambang

125

1.30

V

rt

Rintangan cerun pada keadaan aktif

0.13

mΩ

VTM

Voltan puncak semasa keadaan

ITM=5000A, F=90kN

25μs≤tq≤45μs

25

2.50

V

46μs≤tq≤75μs

1.80

V

76μs≤tq≤100μs

1.60

V

dv/dt

Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kadar kritikal kenaikan arus keadaan hidup (Tidak berulang)

VDM= 67%VDRM,

Denyutan gerbang tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

Bayaran pemulihan

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

125

2100

μC

Tq

Masa penutupan litar yang disambung

ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

25

100

μs

IGT

Pasukan pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mA

Vgt

Voltan pemicu pintu

0.9

2.5

V

IH

Aktifkan arus

20

1000

mA

IL

Arus penguncian

1500

mA

VGD

Voltan pintu bukan pencetus

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 180 ° sinus, penyejukan dua sisi Daya cengkaman 90kN

0.0050

。C /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

0.0015

FM

Kekuatan Pemasangan

81

108

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

140

℃

Wt

Berat

2000/ 2500

G

Gambaran Ringkas

KT100cT/ KT100dT