TG1800HF17H1-S500,Modul IGBT,Jambatan Separuh IGBT,CRRC

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

Nilai bilangan nilai

Unit unit

V CES

集电极 -Voltan pemancar

Voltan kolektor-emiter

V GE = 0V, t C = 25 °C

1700

V

V GES

Grid -Voltan pemancar

Voltan penyiaran pintu

t C = 25 °C

± 20

V

Saya C

集电极电流

Arus kolektor-penerbit

t C = 85 °C, t vj Max = 175°C

1800

A

Saya C (((PK)

集电极峰值电流

Arus puncak kolektor

t P =1ms

3600

A

P Max

Kehilangan maksimum bahagian transistor

Maks. pengaliran kuasa transistor

t vj = 175°C, t C = 25 °C

9.38

kw

Saya 2t

Diod Saya 2t 值 Dioda Saya 2t

V r =0V, t P = 10ms, t vj = 175 °C

551

kA 2S

V isolasi

绝缘 elektrik tekanan (模块 )

Pengasingan voltan - per modul

短接 semua hujung, hujung dan pangkalan antara tekanan elektrik ( Pengepalaan terminal s kepada plat asas ) AC RMS,1 Min, 50Hz, t C = 25 °C

4000

V

参数 Simbol

penjelasan

Penjelasan

值 nilai

Unit unit

Jarak merayap

Jarak merangkak

penyambung -penyejuk

Penyambung ke Pencuci haba

36.0

mm

penyambung -penyambung

Terminal ke Terminal

28.0

mm

Jarak pengasingan Pembersihan

penyambung -penyejuk

Penyambung ke Pencuci haba

21.0

mm

penyambung -penyambung

Terminal ke Terminal

19.0

mm

indeks jejak kebocoran relatif

CTI (Comparative Tracking Index)

>400

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

最小值 Min.

典型值 - TIP.

Maksimal nilai Max.

Unit unit

r th(j-c) IGBT

IGBT Rintangan haba sambungan

Termal tahanan - IGBT

16

K \/ kw

r th(j-c) Dioda

Ketahanan terma sambungan dioda

Termal tahanan - Dioda

33

K \/ kw

r th ((c-h) IGBT

Rintangan haba sentuhan (IGBT)

Termal tahanan -

kotak ke penyerap haba (IGBT)

Penghantaran 5Nm, Lem haba 1W/m·K Tork pemasangan 5Nm,

Dengan Pemasangan minyak pelincir 1W/m·K

14

K \/ kw

r th ((c-h) Dioda

Rintangan haba sentuhan (Diod)

Termal tahanan -

kotak ke penyerap haba (Diod)

Penghantaran 5Nm, Lem haba 1W/m·K Tork pemasangan 5Nm,

Dengan Pemasangan minyak pelincir 1W/m·K

17

K \/ kw

t vjop

kerja sejuk

Sambungan operasi Suhu

IGBT cip ( IGBT )

-40

150

°C

cip diod ( Diod )

-40

150

°C

t STG

Suhu penyimpanan

Julat Suhu Penyimpanan

-40

150

°C

m

Penghantaran

Tork skru

Untuk pengikat pemasangan – M5 Pemasangan – M5

3

6

Nm

Untuk sambungan litar – M4

Sambungan elektrik – M4

1.8

2.1

Nm

Untuk sambungan litar – M8

Sambungan elektrik – M8

8

10

Nm

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

最小值 Min.

典型值 - TIP.

Maksimal nilai Max.

Unit unit

r th(j-c) IGBT

IGBT Rintangan haba sambungan

Termal tahanan - IGBT

16

K \/ kw

r th(j-c) Dioda

Ketahanan terma sambungan dioda

Termal tahanan - Dioda

33

K \/ kw

r th ((c-h) IGBT

Rintangan haba sentuhan (IGBT)

Termal tahanan -

kotak ke penyerap haba (IGBT)

Penghantaran 5Nm, Lem haba 1W/m·K Tork pemasangan 5Nm,

Dengan Pemasangan minyak pelincir 1W/m·K

14

K \/ kw

r th ((c-h) Dioda

Rintangan haba sentuhan (Diod)

Termal tahanan -

kotak ke penyerap haba (Diod)

Penghantaran 5Nm, Lem haba 1W/m·K Tork pemasangan 5Nm,

Dengan Pemasangan minyak pelincir 1W/m·K

17

K \/ kw

t vjop

kerja sejuk

Sambungan operasi Suhu

IGBT cip ( IGBT )

-40

150

°C

cip diod ( Diod )

-40

150

°C

t STG

Suhu penyimpanan

Julat Suhu Penyimpanan

-40

150

°C

m

Penghantaran

Tork skru

Untuk pengikat pemasangan – M5 Pemasangan – M5

3

6

Nm

Untuk sambungan litar – M4

Sambungan elektrik – M4

1.8

2.1

Nm

Untuk sambungan litar – M8

Sambungan elektrik – M8

8

10

Nm

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

最小值 Min.

典型值 - TIP.

Maksimal nilai Max.

Unit unit

r 25

Nilai rintangan dirujuk

Berperingkat rintangan

t C = 25 °C

5

kΩ

△ r /R

R100 sisihan

Sisihan daripada R100

t C = 100 °C, r 100=493Ω

-5

5

%

P 25

kuasa pereputan

disipasi kuasa

t C = 25 °C

20

mW

B 25/50

B- 值

Nilai B

r 2 = r 25Exp [B 25/50 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

B- 值

Nilai B

r 2 = r 25Exp [B 25/80 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

B- 值

Nilai B

r 2 = r 25Exp [B 25/100 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

最小值 Min.

典型值 - TIP.

Maksimal nilai Max.

Unit unit

Saya CES

集电极截止电流

Arus pemotongan kolektor

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , t vj =150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , t vj =175 °C

60

mA

Saya GES

极漏电流

Pintu arus kebocoran

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

Grid -Voltan ambang emisor Voltan ambang pintu

Saya C = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (sat) *)

集电极 -Voltan tepu emisor

Penuh kolektor-emiter

voltan

V GE =15V, Saya C = 1800A

1.70

V

V GE =15V, Saya C = 1800A, t vj = 150 °C

2.10

V

V GE =15V, Saya C = 1800A, t vj = 175 °C

2.15

V

Saya F

Arus DC ke hadapan diod Diod arus ke hadapan

DC

1800

A

Saya Pendapatan

Arus puncak berulang ke hadapan diod Dioda kini ke hadapan puncak nt

t P = 1ms

3600

A

V F *)

Voltan positif diod

Voltan dioda ke hadapan

Saya F = 1800A, V GE = 0

1.60

V

Saya F = 1800A, V GE = 0, t vj = 150 °C

1.75

V

Saya F = 1800A, V GE = 0, t vj = 175 °C

1.75

V

Saya SC

Arus pintasan

Litar pendek Semasa

t vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤ 15V, t P ≤ 10μs,

V CE(maks) = V CES – L *) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

kapasiti input

Kapasiti input

V CE = 25V, V GE = 0V, F = 100kHz

542

NF

Q G

极电荷

Bayaran pintu

±15V

23.6

μC

C res

Kapasiti penghantaran bertentangan

Kapasiti pemindahan terbalik

V CE = 25V, V GE = 0V, F = 100kHz

0.28

NF

L sCE

Modul strayed induktans

Modul terayau indukta nce

8.4

nH

r CC ’+ EE ’

Modul rintangan penghubung, terminal -cip m modul penghubung rintangan, terminal-chip

Setiap pemula

setiap suis

0.20

mΩ

r Gint

Rintangan gerbang dalaman

Gerbang Dalaman Perintang

1

Ω

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

最小值 Min.

典型值 - TIP.

Maksimal nilai Max.

Unit unit

t d (((off)

Kelewatan pemadaman

Masa kelewatan penutupan

Saya C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15V, r G ((OFF) = 0.5Ω, L S = 25nH,

D V ⁄dt =3800V⁄μs (t vj = 150 °C).

t vj = 25 °C

1000

n

t vj = 150 °C

1200

t vj = 175 °C

1250

t F

下降时间 Waktu kejatuhan

t vj = 25 °C

245

n

t vj = 150 °C

420

t vj = 175 °C

485

E dimatikan

Kerugian pemutusan

Kehilangan tenaga penutupan

t vj = 25 °C

425

mJ

t vj = 150 °C

600

t vj = 175 °C

615

t D (dalam)

开通延迟时间

Masa kelewatan penyambutan

Saya C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15V, r G ((ON) = 0.5Ω, L S = 25nH,

D Saya ⁄dt = 8500A⁄μs (t vj = 150 °C).

t vj = 25 °C

985

n

t vj = 150 °C

1065

t vj = 175 °C

1070

t r

上升时间 Masa naik

t vj = 25 °C

135

n

t vj = 150 °C

205

t vj = 175 °C

210

E pada

Kerugian pembukaan

Tenaga penyambungan Kerugian

t vj = 25 °C

405

mJ

t vj = 150 °C

790

t vj = 175 °C

800

Q rr

Cas pemulihan terbalik diod Dioda songsang

Bayaran pemulihan

Saya F =1800A, V CE = 900V,

- D Saya F /dt = 8500A⁄μs (t vj = 150 °C).

t vj = 25 °C

420

μC

t vj = 150 °C

695

t vj = 175 °C

710

Saya rr

Arus pemulihan terbalik diod Dioda songsang

arus pemulihan

t vj = 25 °C

1330

A

t vj = 150 °C

1120

t vj = 175 °C

1100

E REC

Kerugian pemulihan terbalik diod Dioda songsang

Tenaga pemulihan

t vj = 25 °C

265

mJ

t vj = 150 °C

400

t vj = 175 °C

420