T50ZPR, Dioda Pengubah

Saya _T(AV)

970A

V _RRM

5600V 6000V

6500V

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180° gelombang separuh sinus 50Hz Dingin sisi berganda,

TC=100 ℃

150

970

A

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

tp=10ms

150

5600

6500

V

IRRM

Arus puncak berulang

pada VRRM

150

100

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

150

16.5

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

1361

A ²s*10 ³

VFO

Voltan Ambang

150

0.91

V

rF

Rintangan cerun hadapan

0.60

mΩ

VFM

Voltaj puncak hadapan

IFM=1500A, F=26kN

25

2.15

V

Qrr

Bayaran pemulihan

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

3500

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 180 ° sinus, penyejukan sisi berganda Daya pengapit 26kN

0.022

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

0.005

FM

Kekuatan Pemasangan

19

26

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

150

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

160

℃

Wt

Berat

440

G

Gambaran Ringkas

ZT50cT/ ZT50dT