Modul Thyristor/Rectifier Pengelasan

VDRM, VRRM

Jenis & Garis Besar

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTC200-06-229H3/229H3B

MTC200-08-229H3/229H3B

MTC200-10-229H3/229H3B

MTC200-12-229H3/229H3B

MTC200-14-229H3/229H3B

MTC200-16-229H3/229H3B

MTC200-18-229H3/229H3B

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

Jenis

Max

IT ((AV)

purata semasa keadaan

180° gelombang sinus separuh 50Hz Penyejukan satu pihak, Tc=85 ℃

125

200

A

IT(RMS)

Arus keadaan RMS

125

314

A

Idrm Irrm

Arus puncak berulang

di VDRM di VRRM

125

40

mA

ITSM

Tambah semasa semasa

10ms gelombang separuh sinus VR=60%VRRM

125

4.0

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

80

A ²s*10 ³

VTO

Voltan Ambang

125

0.70

V

rt

Rintangan cerun pada keadaan aktif

1.11

mΩ

VTM

Voltan puncak semasa keadaan

ITM=600A

25

1.80

V

dv/dt

Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kadar kritikal peningkatan arus semasa

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

IGT

Pasukan pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Voltan pemicu pintu

0.6

2.5

V

IH

Aktifkan arus

10

250

mA

IL

Arus penguncian

1000

mA

VGD

Voltan pintu bukan pencetus

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Dingin sebelah tunggal setiap cip

0.16

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

Dingin sebelah tunggal setiap cip

0.08

℃ /W

VISO

Voltan pengasingan

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Tork sambungan terminal(M6)

2.5

4.0

N·m

Tork pemasangan(M6)

4.5

6.0

N·m

TVj

suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

125

℃

Wt

Berat

165

G

Gambaran Ringkas

229H3 、229H3B