MFC55, Modul penyearah Thyristor pengelasan, Penyejukan udara

VRRM,VDRM

Jenis & Garis Besar

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MFC55-08-224H3

MFC55-10-224H3

MFC55-12-224H3

MFC55-14-224H3

MFC55-16-224H3

MFC55-18-224H3

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IT ((AV)

purata semasa keadaan

180° separuh gelombang sinus 50Hz

Dinding sebelah disuhu, TC=85 ℃

125

55

A

IT(RMS)

Arus keadaan RMS

86

A

Idrm Irrm

Arus puncak berulang

di VDRM di VRRM

125

15

mA

ITSM

Tambah semasa semasa

VR=60%VRRM,,t= 10ms separuh sinus,

125

1.7

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

125

14.5

103A2s

VTO

Voltan Ambang

125

0.75

V

rt

Rintangan cerun pada keadaan aktif

4.05

mΩ

VTM

Voltan puncak semasa keadaan

ITM= 170A

25

1.60

V

dv/dt

Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kadar kritikal peningkatan arus semasa

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

IGT

Pasukan pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Voltan pemicu pintu

0.6

2.5

V

IH

Aktifkan arus

10

250

mA

IL

Arus penguncian

1000

mA

VGD

Voltan pintu bukan pencetus

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 1800 sinus. Dinding sebelah disuhu setiap cip

0.470

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

Pada 1800 sinus. Dinding sebelah disuhu setiap cip

0.150

℃ /W

VISO

Voltan pengasingan

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Tork sambungan terminal (M5)

2.5

4.0

N·m

Tork pemasangan(M6)

4.5

6.0

N·m

TVj

suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

125

℃

Wt

Berat

100

G

Gambaran Ringkas

224H3