YMIF750-65, Modul IGBT, IGBT Suis Tunggal, CRRC

V _CES

6500 V

V _CE(sat) - TIP.

3.0 V

Saya _C Max.

750 A

Saya _{C ((RM)} Max.

1500 A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Nilai

Unit

V _CES

Voltan kolektor-emiter

VGE = 0V, TC = 25 °C

6500

V

V _GES

Voltan penyiaran pintu

TC= 25 °C

± 20

V

Saya _C

Arus kolektor-penerbit

TC = 80 °C

750

A

Saya _{C (((PK)}

Arus puncak kolektor

tP=1ms

1500

A

P _max

Maks. pengaliran kuasa transistor

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

kw

Saya ²t

Dioda I2t

VR = 0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

V _isolasi

Voltan penebat - setiap modul

( Terminal biasa ke plat asas), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kV

Q _PD

Pelepasan separa - setiap modul

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

Rth(J-C) IGBT

Rintangan terma - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) Diod

Rintangan terma - Diod

19.0

K / kW

Rth(C-H) IGBT

Rintangan terma -

kes ke heatsink (IGBT)

Tork pemasangan 5Nm,

dengan gris pemasangan 1W/m·°C

9

K / kW

Rth(C-H) Diod

Rintangan terma -

kes ke heatsink (Diod)

Tork pemasangan 5Nm,

dengan gris pemasangan 1W/m·°C

18

K / kW

TVjop

Suhu Sambungan Operasi

( IGBT )

-40

125

°C

( Diod )

-40

125

°C

TSTG

suhu penyimpanan

Julat Suhu Penyimpanan

-40

125

°C

M

Tork skru

Pemasangan –M6

5

Nm

Sambungan elektrik – M4

2

Nm

Sambungan elektrik – M8

10

Nm

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

最小值 Min.

典型值 - TIP.

maksimal nilai Max.

unit Unit

ICES

集电极截止电流

Arus pemotongan kolektor

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

mA

IGES

极漏电流

Pasaran kebocoran pintu

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

grid -voltan ambang emisor Voltan ambang pintu

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (berada)

集电极 -voltan tepu emisor

Penuh kolektor-emiter

voltan

VGE =15V, IC = 750A

3.0

3.4

V

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

V

IF

arus DC ke hadapan diod Diod arus ke hadapan

DC

750

A

IFRM

arus puncak berulang ke hadapan diod Pasaran arus hadapan puncak dioda

tP = 1ms

1500

A

VF(*1)

voltan positif diod

Voltan dioda ke hadapan

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

V

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

V

ISC

arus pintasan

Arus pendek😉

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

A

Ces

kapasiti input

Kapasiti input

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

nF

Qg

极电荷

Bayaran pintu

±15V

9.4

μC

Cres

kapasiti penghantaran bertentangan

Kapasiti pemindahan terbalik

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

nF

LM

induktans modul

Induktansi modul

10

nH

RINT

rint

Rintangan transistor dalaman

90

mΩ

tD _(off)

kelewatan pemadaman

Masa kelewatan penutupan

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

n

Tvj= 125 °C

3090

t _f

下降时间 Waktu kejatuhan

Tvj= 25 °C

2390

n

mJ

n

n

mJ

μC

Tvj= 125 °C

2980

E _Dimatikan

kerugian pemutusan

Kehilangan tenaga penutupan

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

tD _(pada)

开通延迟时间

Masa kelewatan penyambutan

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

tr

上升时间 Masa naik

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

E _Pada

kerugian pembukaan

Kehilangan tenaga semasa menyala

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

cas pemulihan terbalik diod Dioda Balik

bayaran pemulihan

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

Irr

arus pemulihan terbalik diod Dioda Balik

arus pemulihan

Tvj= 25 °C

1310

A

mJ

Tvj= 125 °C

1460

Erec

kerugian pemulihan terbalik diod Dioda Balik

tenaga pemulihan

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080