Modul IGBT 6500V

Parameter

Simbol

Syarat

Min

Max

unit

Kolektor-Pemancar voltan

VCES

VGE=0V,Tvj ≥ 25°C

6500

V

Arus kolektor DC

SayaC

tC =80°C

250

A

Arus puncak kolektor

SayaCM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

Voltan penyiaran pintu

VGES

-20

20

V

Kuasa keseluruhan Perosakan

Ptot

tC=25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

Arus Maju DC

SayaF

250

A

Puncak ke hadapan Semasa

SayaPendapatan

tP=1ms

500

A

Pendek IGBT LITUPAN SOA

tpsc

VCC =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V VGE≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μS

Voltan pengasingan

Visolasi

1min, f=50Hz

10200

V

suhu persimpangan

tvj

125

℃

Suhu operasi sambungan

tvj(op)

-50

125

℃

Suhu kes

tC

-50

125

℃

Suhu penyimpanan

tSTG

-50

125

℃

Tork pemasangan

Ms

4

6

Nm

mt1

8

10

Parameter

Simbol

Syarat

Min

Jenis

Max

unit

Kolektor (- pemancar) voltan pecahan

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

Kolektor-Pemancar tepu voltan

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

Kolektor arus pemotongan

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj=125°C

50

mA

Pintu arus kebocoran

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

nA

Ambang Gate-Emitter voltan

V GE (th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

Masa kelewatan penyambutan

tD (dalam)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

感性负载

TVj = 25 °C

1

μ S

TVj = 125 °C

0.94

Kenaikan Masa

tr

TVj = 25 °C

0.76

TVj = 125 °C

0.81

Masa kelewatan penutupan

td (((off)

TVj = 25 °C

3.9

μ S

TVj = 125 °C

4.2

Waktu kejatuhan

tF

TVj = 25 °C

2.2

TVj = 125 °C

2.8

Penghidupan Suis tenaga hilang

EON

TVj = 25 °C

3081

mJ

TVj = 125 °C

3900

Pemadaman Suis tenaga hilang

Edimatikan

TVj = 25 °C

2100

mJ

TVj = 125 °C

1236

Pendek arus litar

SayaSC

tpsc ≤ 10μ s, V GE

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

TVj = 125 °C

940

A