Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Laman Utama /  Produk  /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1700V

GD450HFX170C6S, Modul IGBT, STARPOWER

1700V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX170C6S
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1700V 450A.

Ciri-ciri

  • VCE(sat) rendah parit IGBT Teknologi
  • Keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE (sat) Dengan positif Suhu Pepejal
  • Suhu sambungan maksimum 175oC
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Tipikal Permohonan

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

706

450

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

900

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C

2542

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

450

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

900

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =450A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =450A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =450A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 18.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.67

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

54.2

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.32

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

4.24

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =450A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

179

n

t r

Masa naik

105

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

680

n

t F

Waktu kejatuhan

375

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

116

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

113

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =450A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

208

n

t r

Masa naik

120

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

784

n

t F

Waktu kejatuhan

613

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

152

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

171

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =450A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

208

n

t r

Masa naik

120

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

800

n

t F

Waktu kejatuhan

720

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

167

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

179

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1800

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =450A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

105

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

198

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

69.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

187

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

578

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

129

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

209

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

585

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

150

mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

ΔR/R

Pengecualian bagi r 100

t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

1.10

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.059

0.083

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.031

0.043

0.009

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat bagi modul

350

G

Gambaran Ringkas

image(c537ef1333).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000