GD400SGY120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Kolektor Semasa @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

630

400

A

Saya CM

Berdenyut Kolektor Semasa t p =1 ms

800

A

P D

Maksimum Kuasa Perosakan @ T j = 175 o C

2083

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Terus Diode

400

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

800

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T jmax

Suhu maksimum persimpangan perancangan

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 kepada +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 kepada +125

o C

V ISO

Pengasingan Voltan RMS ,f=50 Hz , t=1 min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE (sat )

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A, V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Saya C =400A, V GE =15V, T j =125 o C

1.95

Saya C =400A, V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C = 10.0mA ,V CE = V GE ,T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Pemotongan Kolektor

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V,

T j =25 o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.9

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

nF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.16

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15V…+15V

3.11

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V, Saya C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

257

n

t r

Masa naik

96

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

628

n

t f

Waktu kejatuhan

103

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

23.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

34.0

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V, Saya C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

268

n

t r

Masa naik

107

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

659

n

t f

Waktu kejatuhan

144

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

35.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

51.5

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V, Saya C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

278

n

t r

Masa naik

118

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

680

n

t f

Waktu kejatuhan

155

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

38.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

56.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C ,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =400A, V GE =0V, T j =25 o C

1.80

2.25

V

Saya F =400A, V GE =0V, T j = 125o C

1.85

Saya F =400A, V GE =0V, T j = 150o C

1.85

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V, Saya F =400A,

-at /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j =25 o C

38.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

285

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

19

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V, Saya F =400A,

-at /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

380

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

36.6

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V, Saya F =400A,

-at /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

399

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

41.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC ’+ EE ’

Modul rintangan plumbum, terminal kepada Chip

0.18

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (per IGBT )

Sambungan -kepada -Kes (per Dioda )

0.072

0.095

K/W

R thCH

Kes -kepada -Pencuci haba (per IGBT )

Kes -kepada -Pencuci haba (per Dioda )

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.018

0.023

0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Pemasangan Tork , Skrup M 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat Modul

300

g