Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Kolektor Semasa @ t C =25 O C

@ t C = 100O C

630

400

A

Saya CM

Berdenyut Kolektor Semasa t P =1 Ms

800

A

P D

Maksimum Kuasa Perosakan @ t j = 175 O C

2083

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Terus Diode

400

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

800

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu maksimum persimpangan perancangan

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 kepada +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 kepada +125

O C

V ISO

Pengasingan voltan RMS ,f=50 Hz , t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE (sat )

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A, V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =400A, V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =400A, V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 10.0mA ,V CE = V GE ,t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Pemotongan Kolektor

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V,

t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.9

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.16

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15V…+15V

3.11

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V, Saya C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

257

n

t r

Masa naik

96

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

628

n

t F

Waktu kejatuhan

103

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

23.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

34.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V, Saya C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

268

n

t r

Masa naik

107

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

659

n

t F

Waktu kejatuhan

144

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

35.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

51.5

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V, Saya C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

278

n

t r

Masa naik

118

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

680

n

t F

Waktu kejatuhan

155

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

38.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

56.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C ,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =400A, V GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =400A, V GE =0V, t j = 125O C

1.85

Saya F =400A, V GE =0V, t j = 150O C

1.85

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V, Saya F =400A,

-at /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V t j =25 O C

38.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

285

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

19

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V, Saya F =400A,

-at /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V t j = 125O C

66.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

380

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

36.6

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V, Saya F =400A,

-at /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V t j = 150O C

76.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

399

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

41.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modul rintangan plumbum, terminal kepada Chip

0.18

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -Kes (per IGBT )

Sambungan -kepada -Kes (per Dioda )

0.072

0.095

K/W

r thCH

Kes -kepada -Pencuci haba (per IGBT )

Kes -kepada -Pencuci haba (per Dioda )

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.018

0.023

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Pemasangan Tork , Skrup m 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat modul

300

G