Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

VCES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

VGES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Arus Pengumpul Berdenyut tp=1ms

800

A

PD

Penghapusan kuasa maksimum @ T = 150oC

2659

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Terus Diode

400

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode tp=1ms

800

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

Tjmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

oC

Tjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

oC

TSTG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

oC

VISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

2.90

3.35

V

Saya C =400A,V GE =15V, t j =125 O C

3.60

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.6

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

26.0

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.70

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

4.2

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =2.2Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

76

n

t r

Masa naik

57

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

529

n

t F

Waktu kejatuhan

73

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

5.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

23.2

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =2.2Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

81

n

t r

Masa naik

62

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

567

n

t F

Waktu kejatuhan

81

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

9.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

31.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

2800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.96

2.31

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.98

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

24.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

317

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

16.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

35.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

391

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

21.4

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.18

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.047

0.100

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.015

0.031

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G