Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

595

400

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P = 1ms

800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

1875

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

400

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

800

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.75

2.20

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.00

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =150 O C

2.05

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

37.3

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.04

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

2.80

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

205

n

t r

Masa naik

77

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

597

n

t F

Waktu kejatuhan

98

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

18.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

32.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

214

n

t r

Masa naik

86

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

626

n

t F

Waktu kejatuhan

137

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

28.4

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

48.9

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

198

n

t r

Masa naik

94

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

646

n

t F

Waktu kejatuhan

147

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

30.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

53.8

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE = 15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1440

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.75

2.15

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

40

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

299

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

20.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

70

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

399

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

38.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

80

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

419

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

43.9

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

15

nH

r CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.25

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.080

0.095

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.037

0.044

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G