Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Laman Utama /  Produk  /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD400HFQ120C2SD,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFQ120C2SD
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 400A.

Ciri-ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • Keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Suhu sambungan maksimum 175oC
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Tipikal Permohonan

  • Bekalan kuasa mod suis
  • Pemanasan induktif
  • Pengimpal elektronik

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

769

400

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =1 75O C

2272

W

Dioda

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

400

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

800

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =400A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =400A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =16.00 mA ,V CE = V GE ,t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

0.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

43.2

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.18

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

3.36

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, t vj =25 O C

288

n

t r

Masa naik

72

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

314

n

t F

Waktu kejatuhan

55

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

43.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

12.4

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, t vj =125 O C

291

n

t r

Masa naik

76

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

351

n

t F

Waktu kejatuhan

88

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

57.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

17.1

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, t vj =150 O C

293

n

t r

Masa naik

78

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

365

n

t F

Waktu kejatuhan

92

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

62.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

18.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1500

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =400A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =400A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =400A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

Dipulihkan

cas

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15V, L S =45 nH ,t vj =25 O C

38.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

252

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

11.2

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V r =600V,I F =400A,

-at /dt = 3860A/μs, V GE =- 15V, L S =45 nH ,t vj =125 O C

61.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

255

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

18.7

mJ

Q r

Dipulihkan

cas

V r =600V,I F =400A,

-at /dt =3720A/μs, V GE =- 15V, L S =45 nH ,t vj =150 O C

75.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

257

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

20.5

mJ

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.066

0.115

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.031

0.055

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G

Gambaran Ringkas

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000