Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Laman Utama /  Produk  /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD400HFF120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFF120C2S
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 400A.

Ciri-ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Kerugian pertukaran rendah
  • Suhu sambungan maksimum 175oC
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Tipikal Permohonan

  • Bekalan kuasa mod suis
  • Pemanasan induktif
  • Pengimpal elektronik

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

620

400

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C

2272

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

400

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

800

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

1.90

2.35

V

Saya C =400A,V GE =15V, t j = 125O C

2.40

Saya C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.55

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

100

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.9

Ω

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =0,38Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

1496

n

t r

Masa naik

200

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1304

n

t F

Waktu kejatuhan

816

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

27.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

20.8

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =0,38Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

1676

n

t r

Masa naik

252

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1532

n

t F

Waktu kejatuhan

872

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

41.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

23.6

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =0,38Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

1676

n

t r

Masa naik

260

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1552

n

t F

Waktu kejatuhan

888

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

46.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

24.0

mJ

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

20.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

180

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

6.8

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

52.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

264

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

19.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

60.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

284

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

22.6

mJ

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

15

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.25

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.066

0.093

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.034

0.048

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G

Gambaran Ringkas

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000