Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Laman Utama /  Produk  /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD300SGY120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300SGY120C2S
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 600A.

Ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • Keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Suhu sambungan maksimum 175oC
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Tipikal Permohonan

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

480

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

1613

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

300

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

600

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

VCE (sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC

1.70

2.15

V

IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC

1.95

IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC

2.00

VGE(th)

Tegangan Ambang Gate-Emitter

IC=7.50mA, VCE=VGE, Tj=25oC

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Pemotongan Kolektor

Semasa

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

1.0

mA

IGES

Arus Kebocoran Gate-Emitter

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

nA

RGint

Rintangan Dalaman Gate

2.5

Ω

Ces

Kapasiti input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

31.1

NF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.87

NF

Qg

Bayaran pintu

VGE=- 15…+15V

2.33

μC

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

182

n

tr

Masa naik

54

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

464

n

TF

Waktu kejatuhan

72

n

EON

Penghidupan Suis

Kerugian

10.6

mJ

EOFF

Pemadaman Suis

Kerugian

25.8

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC

193

n

tr

Masa naik

54

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

577

n

TF

Waktu kejatuhan

113

n

EON

Penghidupan Suis

Kerugian

16.8

mJ

EOFF

Pemadaman Suis

Kerugian

38.6

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC

203

n

tr

Masa naik

54

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

618

n

TF

Waktu kejatuhan

124

n

EON

Penghidupan Suis

Kerugian

18.5

mJ

EOFF

Pemadaman Suis

Kerugian

43.3

mJ

ISC

Data SC

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V

1200

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

VF

Dioda Maju

voltan

IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC

1.65

2.10

V

IF=300A,VGE=0V,Tj= 125oC

1.65

IF=300A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.65

Qr

Caj Dipulihkan

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj=25oC

29

μC

IRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

318

A

Erec

Tenaga Pemulihan Balik

18.1

mJ

Qr

Caj Dipulihkan

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 125oC

55

μC

IRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

371

A

Erec

Tenaga Pemulihan Balik

28.0

mJ

Qr

Caj Dipulihkan

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 150oC

64

μC

IRM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

390

A

Erec

Tenaga Pemulihan Balik

32.8

mJ

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

RCC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

RthJC

Junction-to-Case (per IGBT)

Junction-to-Case (per Diod)

0.093

0.155

K/W

RthCH

Kes-ke-pemanas (per IGBT)

Case-to-Heatsink (per Diod)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

m

Tomb sambungan terminal, skru M6 Tomb pemasangan, skru M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat Modul

300

G

Gambaran Ringkas

image(6b521639e0).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000