Modul IGBT,1700V 300A
Pendahuluan ringkas
modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1700V 225A.
Ciri-ciri
Rendah V CE (sat ) parit IGBT Teknologi
10μs keupayaan litar pintas ility
V CE (sat ) Dengan positif Suhu Pepejal
Maksimum suhu persimpangan 175O C
Rendah induktans Kes
Pemulihan terbalik cepat & lembut FWD anti-paralel
Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
Tipikal Permohonan
Inverter untuk motor D RIV
AC dan DC servo Pemandu pemberi kuasa
Kuasa yang tidak terganggu r bekalan
Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol | Penerangan | nilai | unit |
V CES | Voltan kolektor-emiter | 1700 | V |
V GES | Voltan penyiaran pintu | ±20 | V |
Saya C | Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 100O C | 396 225 | A |
Saya CM | Arus Pengumpul Berdenyut t P = 1ms | 450 | A |
P D | Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C | 1530 | W |
Dioda
Simbol | Penerangan | nilai | unit |
V RRM | Tegangan Terbalik Puncak Berulang | 1700 | V |
Saya F | Arus Maju Berterusan Diod =0V, | 225 | A |
Saya FM | Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms | 450 | A |
modul
Simbol | Penerangan | nilai | unit |
t jmax | Suhu Sambungan Maksimum | 175 | O C |
t jop | Suhu Sambungan Operasi | -40 hingga +150 | O C |
t STG | Suhu penyimpanan Julat | -40 hingga +125 | O C |
V ISO | Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min | 4000 | V |
IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | unit |
V CE(sat) |
Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh | Saya C =225A,V GE =15V, t j =25 O C |
| 1.85 | 2.20 |
V |
Saya C =225A,V GE =15V, t j =125 O C |
| 2.25 |
| |||
Saya C =225A,V GE =15V, t j =150 O C |
| 2.35 |
| |||
V GE (th ) | Ambang Gate-Emitter voltan | Saya C =9.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
Saya CES | Kolektor Potongan -dimatikan Semasa | V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C |
|
| 5.0 | mA |
Saya GES | Kebocoran Gate-Emitter Semasa | V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C |
|
| 400 | nA |
r Gint | Rintangan Gerbang Dalaman ance |
|
| 2.8 |
| Ω |
C ies | Kapasiti input | V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
| 27.1 |
| NF |
C res | Pemindahan Balik Kapasitans |
| 0.66 |
| NF | |
Q G | Bayaran pintu | V GE =- 15...+15V |
| 2.12 |
| μC |
t D (pada ) | Masa kelewatan penyambutan |
V CC =900V,I C =225A, r Gon =3.3Ω, r Goff =6.2Ω, V GE =±15V, t j =25 O C |
| 187 |
| n |
t r | Masa naik |
| 76 |
| n | |
t D (dimatikan ) | Matikan Masa Lembapan |
| 587 |
| n | |
t F | Waktu kejatuhan |
| 350 |
| n | |
E pada | Hidupkan Penukaran Kerugian |
| 56.1 |
| mJ | |
E dimatikan | Pemadaman Suis Kerugian |
| 52.3 |
| mJ | |
t D (pada ) | Masa kelewatan penyambutan |
V CC =900V,I C =225A, r Gon =3.3Ω, r Goff =6.2Ω, V GE =±15V, t j = 125O C |
| 200 |
| n |
t r | Masa naik |
| 85 |
| n | |
t D (dimatikan ) | Matikan Masa Lembapan |
| 693 |
| n | |
t F | Waktu kejatuhan |
| 662 |
| n | |
E pada | Hidupkan Penukaran Kerugian |
| 75.9 |
| mJ | |
E dimatikan | Pemadaman Suis Kerugian |
| 80.9 |
| mJ | |
t D (pada ) | Masa kelewatan penyambutan |
V CC =900V,I C =225A, r Gon =3.3Ω, r Goff =6.2Ω, V GE =±15V, t j = 150O C |
| 208 |
| n |
t r | Masa naik |
| 90 |
| n | |
t D (dimatikan ) | Matikan Masa Lembapan |
| 704 |
| n | |
t F | Waktu kejatuhan |
| 744 |
| n | |
E pada | Hidupkan Penukaran Kerugian |
| 82.8 |
| mJ | |
E dimatikan | Pemadaman Suis Kerugian |
| 87.7 |
| mJ | |
Saya SC |
Data SC | t P ≤10μs,V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V |
|
900 |
|
A |
Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | Unit |
V F | Dioda Maju voltan | Saya F =225A,V GE =0V,T j =25 O C |
| 1.80 | 2.25 |
V |
Saya F =225A,V GE =0V,T j = 125O C |
| 1.90 |
| |||
Saya F =225A,V GE =0V,T j = 150O C |
| 1.95 |
| |||
Q r | Caj Dipulihkan | V r =900V,I F =225A, -di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C |
| 63.0 |
| μC |
Saya RM | Puncak Terbalik arus pemulihan |
| 352 |
| A | |
E REC | Pemulihan Terbalik tenaga |
| 37.4 |
| mJ | |
Q r | Caj Dipulihkan | V r =900V,I F =225A, -di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C |
| 107 |
| μC |
Saya RM | Puncak Terbalik arus pemulihan |
| 394 |
| A | |
E REC | Pemulihan Terbalik tenaga |
| 71.0 |
| mJ | |
Q r | Caj Dipulihkan | V r =900V,I F =225A, -di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V t j =150 O C |
| 121 |
| μC |
Saya RM | Puncak Terbalik arus pemulihan |
| 385 |
| A | |
E REC | Pemulihan Terbalik tenaga |
| 82.8 |
| mJ |
NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Keadaan Ujian | Min. | - TIP. | Max. | unit |
r 25 | Rintangan bertaraf |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Pengecualian bagi r 100 | t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Kuasa Perosakan |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | Nilai B | r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
| 3375 |
| K |
B 25/80 | Nilai B | r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
| 3411 |
| K |
B 25/100 | Nilai B | r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
| 3433 |
| K |
modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Min. | - TIP. | Max. | unit |
L CE | Induktans Terbuang |
| 20 |
| nH |
r CC’+EE’ | Modul rintangan plumbum, terminal ke cip |
| 1.10 |
| mΩ |
r thJC | Junction-to-Case (per IGB T) Junction-to-Case (per Di ode) |
|
| 0.098 0.158 | K/W |
r thCH | Case-to-Heatsink (per IGBT) Case-to-Heatsink (p er Diode) Case-to-Heatsink (per Modul) |
| 0.029 0.047 0.009 |
| K/W |
m | Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | N.M |
G | Berat bagi modul |
| 350 |
| G |
Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.