Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Laman Utama /  Produk  /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1700V

GD225HFX170C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT,1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD225HFX170C6S
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1700V 225A.

Ciri-ciri

Rendah V CE (sat ) parit IGBT Teknologi

10μs keupayaan litar pintas ility

V CE (sat ) Dengan positif Suhu Pepejal

Maksimum suhu persimpangan 175O C

Rendah induktans Kes

Pemulihan terbalik cepat & lembut FWD anti-paralel

Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Tipikal Permohonan

Inverter untuk motor D RIV

AC dan DC servo Pemandu pemberi kuasa

Kuasa yang tidak terganggu r bekalan

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

396

225

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P = 1ms

450

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

1530

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

225

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

450

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =225A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =225A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =225A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =9.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.8

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

27.1

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.66

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

2.12

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =225A, r Gon =3.3Ω, r Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

t j =25 O C

187

n

t r

Masa naik

76

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

587

n

t F

Waktu kejatuhan

350

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

56.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

52.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =225A, r Gon =3.3Ω, r Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

t j = 125O C

200

n

t r

Masa naik

85

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

693

n

t F

Waktu kejatuhan

662

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

75.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

80.9

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =225A, r Gon =3.3Ω, r Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

t j = 150O C

208

n

t r

Masa naik

90

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

704

n

t F

Waktu kejatuhan

744

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

82.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

87.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

900

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =225A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =225A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F =225A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

63.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

352

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

37.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

107

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

394

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

71.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V t j =150 O C

121

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

385

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

82.8

mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

ΔR/R

Pengecualian bagi r 100

t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

1.10

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.098

0.158

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.029

0.047

0.009

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat bagi modul

350

G

Gambaran Ringkas

image(c537ef1333).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000