Modul IGBT 4500V

Parameter

Simbol

Syarat

nilai

unit

Voltan kolektor-emiter

V CES

V GE =0V, t vj =25 ° C

4500

V

Pengumpul DC Cu rental

Saya C

t C =100 ° C,T vj =125 ° C

2000

A

Arus puncak kolektor

Saya CM

t P =1ms

4000

A

Pintu -Penerbit voltan

V GES

± 20

V

Jumlah Kuasa Perosakan

P tot

t C =25 ° C,T vj =125 ° C

20800

W

DC Cu Ke Hadapan rental

Saya F

2000

A

Puncak Cur Ke Hadapan =0V,

Saya Pendapatan

t P =1ms

4000

A

Arus lonjakan

Saya FSM

V r =0V,T vj =125 ° C,

t P =10ms, separuh gelombang sinus

14000

A

IGBT Pendek Sirkuit SOA

t psc

V CC = 3400V, V CEM Cip ≤4500V V GE ≤15V,T vj ≤125 ° C

10

μs

Suhu Pertemuan Maksimum Suhu

t vj (Max )

125

℃

Sambungan Suhu operasi

t vj (op )

-40~125

℃

Suhu kes

t C

-40~125

℃

Suhu penyimpanan

t STG

-40~70

℃

Kekuatan Pemasangan

F m

60~75

kN

Parameter

Simbol

Syarat

nilai

unit

Min.

- TIP.

Max.

Tegangan Patah Pengumpul-Pemancar

V ((BR) CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃

4500

V

Tegangan Penyerapan Pengumpul-Pemancar

VCE (sat)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25℃

2.70

3.05

V

Tvj=125℃

3.35

3.85

V

Arus Pemotongan Pengumpul-Pemancar

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25℃

1

mA

Tvj=125℃

15

100

mA

Arus Kebocoran Gate-Emitter

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃

-500

500

nA

Tegangan Ambang Gate-Emitter

VGE(th)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃

6.7

7.7

V

Bayaran pintu

Qg

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

10

μC

Kapasiti input

Ces

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃

213

NF

Kapacitans Output

Coes

15.3

NF

Kapasiti pemindahan terbalik

Cres

4.7

NF

Rintangan Dalaman Gate

RGint

0

Ω

Masa kelewatan penyambutan

td ((on)

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=±15V,

RGon=1.8Ω,

RGoff=8.2Ω,

CGE=330nF,

LS=140nH,

Beban induktif

Tvj=25℃

1100

n

Tvj=125℃

900

n

Masa naik

tr

Tvj=25℃

400

n

Tvj=125℃

450

n

Masa kelewatan penutupan

td ((off)

Tvj=25℃

3800

n

Tvj=125℃

4100

n

Waktu kejatuhan

TF

Tvj=25℃

1200

n

Tvj=125℃

1400

n

Tenaga Pertukaran Hidup

EON

Tvj=25℃

14240

mJ

Tvj=125℃

15730

mJ

Tenaga Pertukaran Mati

EOFF

Tvj=25℃

6960

mJ

Tvj=125℃

8180

mJ

Arus pendek😉

ISC

VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃

VCEM CHIP≤4500V

8400

A

Parameter

Simbol

Syarat

nilai

unit

Min.

- TIP.

Max.

Voltan Maju

VF

IF=2000A

Tvj=25℃

2.60

V

Tvj=125℃

2.85

V

Arus Pemulihan Balik

Irr

IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH,

Beban induktif

Tvj=25℃

1620

A

Tvj=125℃

1970

A

Cas Charge Pemulihan Balik

Qrr

Tvj=25℃

1750

uC

Tvj=125℃

2700

uC

Masa Pemulihan Balik

trr

Tvj=25℃

4.0

kami

Tvj=125℃

5.1

kami

Kerugian Tenaga Pemulihan Balik

Erec

Tvj=25℃

2350

mJ

Tvj=125℃

3860

mJ