IDG75X12T2, IGBT diskrit, STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

150

75

A

Saya CM

Berdenyut Kolektor Semasa t P terhad oleh t vjmax

225

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

852

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

75

A

Saya FM

Berdenyut Kolektor Semasa t P terhad oleh t vjmax

225

A

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +175

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-55 hingga +150

O C

t S

Suhu pengimpalan,1.6mm f Rom kes untuk 10s

260

O C

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C = 75A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.75

2.20

V

Saya C = 75A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.10

Saya C = 75A,V GE =15V, t vj = 175 O C

2.20

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =3.00 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

250

μA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

100

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

2.0

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

6.58

NF

C oes

Kapacitans Output

0.40

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.19

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

0.49

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 75A, r G =4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

t vj =25 O C

41

n

t r

Masa naik

135

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

87

n

t F

Waktu kejatuhan

255

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

12.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

3.6

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 75A, r G =4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

t vj =150 O C

46

n

t r

Masa naik

140

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

164

n

t F

Waktu kejatuhan

354

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

17.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

6.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 75A, r G =4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

t vj = 175 O C

46

n

t r

Masa naik

140

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

167

n

t F

Waktu kejatuhan

372

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

18.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

6.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

300

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F = 75A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.75

2.20

V

Saya F = 75A,V GE =0V,T vj =15 0O C

1.75

Saya F = 75A,V GE =0V,T vj =17 5O C

1.75

trr

Dioda Balik Masa Pemulihan

V r =600V,I F = 75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t vj =25 O C

267

n

Q r

Caj Dipulihkan

4.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

22

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

1.1

mJ

trr

Dioda Balik Masa Pemulihan

V r =600V,I F = 75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t vj =150 O C

432

n

Q r

Caj Dipulihkan

9.80

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

33

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

2.7

mJ

trr

Dioda Balik Masa Pemulihan

V r =600V,I F = 75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t vj = 175 O C

466

n

Q r

Caj Dipulihkan

11.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

35

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

3.1

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T) Junction-to-Case (per D iode)

0.176 0.371

K/W

r thJA

Sambungan-ke-Ambient

40

K/W