H76ZYR,Diod Pemulihan Lembut

IT ((AV)

800A

VRRM

6000V ～ 6500V

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180° separuh gelombang sinus 50Hz Dingin dua sisi

TC=70 ℃

125

800

A

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

tp=10ms

125

6000

6500

V

IRRM

Arus puncak berulang

pada VRRM

125

300

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms separuh gelombang sinus VR=0

125

18

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

1620

10³A ²S

VFO

Voltan Ambang

125

1.90

V

rF

Rintangan cerun hadapan

1.10

mΩ

VFM

Voltaj puncak hadapan

IFM= 1800A, F=24kN

25

4.80

V

IRM

Arus Pemulihan Balik

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

125

900

A

trr

Masa Pemulihan Balik

20

μs

Qrr

Bayaran pemulihan

5000

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 180 ° Sinus, sisi bersalin berganda Kuasa pengikat 24kN

0.010

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

0.003

FM

Kekuatan Pemasangan

35

47

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

140

℃

Wt

Berat

1100

G

Gambaran Ringkas

ZT73cT