H76ZYG,Diod Pemulihan Lembut

Saya _T(AV)

2200A

V _RRM

4000V 4200V

4500V

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180° gelombang separuh sinus 50Hz Dingin sisi berganda,

Tsink=55 ℃

125

2200

A

IRRM

Arus puncak berulang

pada VRRM

125

240

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

125

23

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

2645

A2s* 103

VFO

Voltan Ambang

125

1.65

V

rF

Rintangan cerun hadapan

0.26

mΩ

VFM

Voltaj puncak hadapan

@IFM=3000A,

F=40kN

25

2.80

V

@IFM=5000A

125

2.98

VFRM

Voltan pemulihan hadapan maksimum

di/dt= 1000A/μs

125

80

V

25

40

V

IRM

Arus Pemulihan Balik

IFM=2000A,tp=4000μs, -di/dt=60A/μs, VR=50V

125

400

A

trr

Masa Pemulihan Balik

8.0

μs

Qrr

Bayaran pemulihan

2000

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 1800 sine, penyejukan sisi berganda Kuasa pengekangan 40kN

0.010

° /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes kepada sink haba

0.003

FM

Kekuatan Pemasangan

35

47

kN

Tjop

Julat suhu operasi

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

150

℃

Wt

Berat

1460

G

Gambaran Ringkas

ZT73dT