H50ZYG, Dioda Pemulihan Lembut

Saya _T(AV)

700A

V _RRM

4000V 4200V

4500V

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180° separuh gelombang sinus 50Hz Dingin dua sisi

TC=70 ℃

125

700

A

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

tp=10ms

125

4000

4500

V

IRRM

Arus puncak berulang

pada VRRM

125

100

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms separuh gelombang sinus VR=0

125

16

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

1280

10³A ²S

VFO

Voltan Ambang

125

1.70

V

rF

Rintangan cerun hadapan

0.98

mΩ

VFM

Voltaj puncak hadapan

IFM=2000A, F=24kN

25

3.80

V

IRM

Arus Pemulihan Balik

ITM=1000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

125

610

A

trr

Masa Pemulihan Balik

7.0

μs

Qrr

Bayaran pemulihan

1500

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 180 ° Sinus, sisi bersalin berganda Kuasa pengikat 24kN

0.020

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

0.005

FM

Kekuatan Pemasangan

19

26

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

140

℃

Wt

Berat

440

G

Gambaran Ringkas

ZT50cT