H50KPU,Thyristor Kawalan Fasa

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj(°C )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IT ((AV)

purata semasa keadaan

180° separuh gelombang sinus 50Hz

Kedua-dua sisi sejuk, TC=70 。C

125

600

A

VDRM VRRM

Voltaj off-state puncak berulang Voltaj terbalik puncak berulang

tp=10ms

125

7300

8500

V

Idrm Irrm

Arus puncak berulang

@ VDRM @ VRRM

125

200

mA

ITSM

Tambah semasa semasa

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

125

9.8

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

480

A2s*103

VTO

Voltan Ambang

125

1.04

V

rt

Rintangan cerun pada keadaan aktif

2.33

mΩ

VTM

Voltan puncak semasa keadaan

ITM=1000A, F=24kN

25

2.95

V

dv/dt

Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

Kadar kritikal peningkatan arus semasa

VDM= 67% VDRM kepada 2000A,

Denyut gerbang tr ≤0.5μs IGM = 2.0A

125

100

A/μs

Qrr

Bayaran pemulihan

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

μC

IGT

Pasukan pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

Vgt

Voltan pemicu pintu

0.8

3.0

V

IH

Aktifkan arus

25

200

mA

IL

Arus penguncian

500

mA

VGD

Voltan pintu bukan pencetus

VDM=0.67VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 1800 sinus, sisi bersalin berganda Pasukan penjepit 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

0.005

。C /W

FM

Kekuatan Pemasangan

19

24

26

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

140

℃

Wt

Berat

560

G

Gambaran Ringkas

KT50dT