H100KPU, Thyristor Kawalan fasa

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj(°C )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IT ((AV)

purata semasa keadaan

180。separuh gelombang sinus 50Hz Dingin dua sisi

TC=70 。C

115

2000

A

Idrm Irrm

Arus puncak berulang

pada VDRM tp= 10ms pada VRRM tp= 10ms

115

600

mA

ITSM

Tambah semasa semasa

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

115

35

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

6125

103A2s

VTO

Voltan Ambang

115

1.32

V

rt

Rintangan cerun pada keadaan aktif

0.52

mΩ

VTM

Voltan puncak semasa keadaan

ITM= 1500A, F=90kN

25

2.00

V

dv/dt

Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati

VDM=0.67VDRM

115

2000

V/μs

di/dt

Kadar kritikal peningkatan arus semasa

VDM=67%VDRM,

Denyutan gerbang tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

200

A/μs

Qrr

Bayaran pemulihan

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

5000

μC

IGT

Pasukan pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Voltan pemicu pintu

0.8

3.0

V

IH

Aktifkan arus

25

200

mA

VGD

Voltan pintu bukan pencetus

VDM=67%VDRM

115

0.3

V

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Kekuatan penekanan sejuk dua sisi 90kN

0.0057

。C /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

0.0015

FM

Kekuatan Pemasangan

81

90

108

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

115

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

140

℃

Wt

Berat

2500

G

Gambaran Ringkas

KT100dT