H100KFM, Thyristor Patah Cepat Tidak Simetri

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj(°C )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IT ((AV)

purata semasa keadaan

180。gelombang separuh sinus 50Hz Dingin sisi berganda,

TC=55°C

125

4500

A

TC=70°C

125

3800

A

VDRM

Voltan puncak berulang dalam keadaan mati

tp=10ms

125

4000

4500

V

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

125

1000

3000

V

Idrm Irrm

Arus puncak berulang

di VDRM di VRRM

125

500

mA

ITSM

Tambah semasa semasa

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

125

50

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

12500

103A2s

VTO

Voltan Ambang

125

1.58

V

rt

Rintangan cerun pada keadaan aktif

0.15

mΩ

VTM

Voltan puncak semasa keadaan

ITM=5000A, F=70kN 。

60

25

2.60

V

101

25

2.00

dv/dt

Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kadar kritikal peningkatan arus semasa

VDM= 67%VDRM kepada 4000A

Denyutan gerbang tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

Bayaran pemulihan

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

4000

μC

Tq

Masa penutupan litar yang disambung

ITM=2000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

60

100

200

μs

IGT

Pasukan pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

50

300

mA

Vgt

Voltan pemicu pintu

0.8

3.5

V

IH

Aktifkan arus

20

1000

mA

IL

Arus penguncian

1500

mA

VGD

Voltan pintu bukan pencetus

VDM=67%VDRM

125

0.25

V

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Dingin sisi berganda

0.005

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes kepada sink haba

0.0015

FM

Kekuatan Pemasangan

81

108

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

140

℃

Wt

Berat

1880

G

Gambaran Ringkas

KT100cT