GD900SGF120A3SN,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1466

900

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

5.34

kw

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

900

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1800

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =900A,V GE =15V, t vj =25 O C

2.00

2.45

V

Saya C =900A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.50

Saya C =900A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.65

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 32.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.44

Ω

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =900A, r Gon =1Ω, r Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t vj =25 O C

520

n

t r

Masa naik

127

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

493

n

t F

Waktu kejatuhan

72

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

76.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

85.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =900A, r Gon =1Ω, r Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t vj =125 O C

580

n

t r

Masa naik

168

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

644

n

t F

Waktu kejatuhan

89

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

127

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

98.5

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =900A, r Gon =1Ω, r Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t vj =150 O C

629

n

t r

Masa naik

176

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

676

n

t F

Waktu kejatuhan

96

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

134

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

99.0

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =900A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.95

2.40

V

Saya F =900A,V GE =0V,T vj =125 O C

2.00

Saya F =900A,V GE =0V,T vj =150 O C

2.05

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t vj =25 O C

80

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

486

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

35.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t vj =125 O C

153

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

510

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

64.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t vj =150 O C

158

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

513

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

74.0

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

12

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.19

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

28.1 44.1

K/kW

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)

9.82 15.4 6.0

K/kW

m

Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Tork Sambungan Terminal, Skrin M8 Tork Pemasangan, Skrup M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Berat bagi modul

1050

G