1200V 800A
Pendahuluan ringkas
modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 800A.
Ciri-ciri
Pembolehubah Tipikal
Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Penerangan |
nilai |
unit |
V CES |
Voltan kolektor-emiter |
1200 |
V |
V GES |
Voltan penyiaran pintu |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =100 O C |
800 |
A |
Saya CM |
Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms |
1600 |
A |
P D |
Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C |
5172 |
W |
Dioda
Simbol |
Penerangan |
nilai |
unit |
V RRM |
Voltaj Balik Puncak Berulang Umur |
1200 |
V |
Saya F |
Dioda berterusan ke hadapan Cu rental |
800 |
A |
Saya FM |
Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms |
1600 |
A |
modul
Simbol |
Penerangan |
nilai |
unit |
t jmax |
Suhu Sambungan Maksimum |
175 |
O C |
t jop |
Suhu Sambungan Operasi |
-40 hingga +150 |
O C |
t STG |
Julat Suhu Penyimpanan |
-40 hingga +125 |
O C |
V ISO |
Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min |
2500 |
V |
IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
unit |
V CE(sat) |
Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh |
Saya C = 800A,V GE =15V, t j =25 O C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
Saya C = 800A,V GE =15V, t j =125 O C |
|
2.30 |
|
|||
Saya C = 800A,V GE =15V, t j =150 O C |
|
2.40 |
|
|||
V GE (th ) |
Ambang Gate-Emitter voltan |
Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potongan -dimatikan Semasa |
V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C |
|
|
1.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gate-Emitter Semasa |
V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C |
|
|
400 |
nA |
r Gint |
Rintangan Dalaman Gate |
|
|
0.7 |
|
Ω |
C ies |
Kapasiti input |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
62.1 |
|
NF |
C res |
Pemindahan Balik Kapasitans |
|
1.74 |
|
NF |
|
Q G |
Bayaran pintu |
V GE =-15…+15V |
|
4.66 |
|
μC |
t D (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C = 800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,t j =25 O C |
|
266 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
98 |
|
n |
|
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
394 |
|
n |
|
t F |
Waktu kejatuhan |
|
201 |
|
n |
|
E pada |
Hidupkan Penukaran Kerugian |
|
108 |
|
mJ |
|
E dimatikan |
Pemadaman Suis Kerugian |
|
73.8 |
|
mJ |
|
t D (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C = 800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,t j =125 O C |
|
280 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
115 |
|
n |
|
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
435 |
|
n |
|
t F |
Waktu kejatuhan |
|
275 |
|
n |
|
E pada |
Hidupkan Penukaran Kerugian |
|
153 |
|
mJ |
|
E dimatikan |
Pemadaman Suis Kerugian |
|
91.3 |
|
mJ |
|
t D (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C = 800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,t j =150 O C |
|
282 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
117 |
|
n |
|
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
446 |
|
n |
|
t F |
Waktu kejatuhan |
|
290 |
|
n |
|
E pada |
Hidupkan Penukaran Kerugian |
|
165 |
|
mJ |
|
E dimatikan |
Pemadaman Suis Kerugian |
|
94.4 |
|
mJ |
|
Saya SC |
Data SC |
t P ≤10μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V |
|
2400 |
|
A |
Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
unit |
V F |
Dioda Maju voltan |
Saya F = 800A,V GE =0V,T j =25 O C |
|
2.00 |
2.45 |
V |
Saya F = 800A,V GE =0V,T j =1 25O C |
|
2.15 |
|
|||
Saya F = 800A,V GE =0V,T j =1 50O C |
|
2.20 |
|
|||
Q r |
Caj Dipulihkan |
V CC =600V,I F = 800A, -di/dt=5800A/μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,t j =25 O C |
|
48.1 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik arus pemulihan |
|
264 |
|
A |
|
E REC |
Pemulihan Terbalik tenaga |
|
18.0 |
|
mJ |
|
Q r |
Caj Dipulihkan |
V CC =600V,I F = 800A, -di/dt=4800A/μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,t j =125 O C |
|
95.3 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik arus pemulihan |
|
291 |
|
A |
|
E REC |
Pemulihan Terbalik tenaga |
|
35.3 |
|
mJ |
|
Q r |
Caj Dipulihkan |
V CC =600V,I F = 800A, -di⁄dt=4550A⁄μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,t j =150 O C |
|
107 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik arus pemulihan |
|
293 |
|
A |
|
E REC |
Pemulihan Terbalik tenaga |
|
38.5 |
|
mJ |
NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
unit |
r 25 |
Rintangan bertaraf |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Pengecualian bagi r 100 |
t C =100 O C R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Kuasa Perosakan |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- TIP. |
Max. |
unit |
r thJC |
Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode) |
|
|
0.029 0.050 |
K/W |
r thCH |
Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Case-to-Heatsink (per Modul) |
|
0.028 0.049 0.009 |
|
K/W |
m |
Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Berat bagi modul |
|
350 |
|
G |
Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.