Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

laman utama /  Produk /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD800HFX120C6HA,Modul IGBT,STARPOWER

1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFX120C6HA
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 800A.

Ciri-ciri

  • L ow VCE(sat) Teknologi IGBT Trench
  • Keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Suhu persimpangan maksimum 175
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Substrat Si3N4 untuk rintangan haba rendah
  • Tapak tembaga bersempadan menggunakan teknologi Si3N4 AMB

Pembolehubah Tipikal

  • Kenderaan hibrid dan elektrik
  • Inverter untuk pemacu motor
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =100 O C

800

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

5172

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

800

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1600

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C = 800A,V GE =15V, t j =25 O C

1.95

2.40

V

Saya C = 800A,V GE =15V, t j =125 O C

2.30

Saya C = 800A,V GE =15V, t j =150 O C

2.40

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

0.7

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

62.1

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

1.74

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

4.66

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,t j =25 O C

266

n

t r

Masa naik

98

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

394

n

t F

Waktu kejatuhan

201

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

108

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

73.8

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,t j =125 O C

280

n

t r

Masa naik

115

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

435

n

t F

Waktu kejatuhan

275

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

153

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

91.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,t j =150 O C

282

n

t r

Masa naik

117

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

446

n

t F

Waktu kejatuhan

290

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

165

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

94.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =25 O C

2.00

2.45

V

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =1 25O C

2.15

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =1 50O C

2.20

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,t j =25 O C

48.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

264

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

18.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,t j =125 O C

95.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

291

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

35.3

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,t j =150 O C

107

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

293

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

38.5

mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.029 0.050

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.028 0.049 0.009

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat bagi modul

350

G

Gambaran Ringkas

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000