Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =100 O C

800

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

4687

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

900

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1800

A

Saya FSM

Arus Lonjakan Maju t P =10ms @ T vj =12 5O C @ T vj = 175 O C

2392

2448

A

Saya 2t

Saya 2t- nilai ,t P =10 Ms @ t vj =125 O C @ T vj = 175 O C

28608

29964

A 2S

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C = 800A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.40

1.85

V

Saya C = 800A,V GE =15V, t vj =125 O C

1.60

Saya C = 800A,V GE =15V, t vj = 175 O C

1.60

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

28.4

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.15

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

2.05

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A, r G =0.5Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

t vj =25 O C

168

n

t r

Masa naik

78

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

428

n

t F

Waktu kejatuhan

123

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

43.4

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

77.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A,

r G =0.5Ω, L S =40nH,

V GE =-8V/+15V,

t vj =125 O C

172

n

t r

Masa naik

84

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

502

n

t F

Waktu kejatuhan

206

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

86.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

99.1

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A,

r G =0.5Ω, L S =40nH,

V GE =-8V/+15V,

t vj = 175 O C

174

n

t r

Masa naik

90

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

531

n

t F

Waktu kejatuhan

257

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

99.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

105

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤8μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,

V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

t vj = 175 O C,

V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =900A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.60

2.00

V

Saya F =900A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.60

Saya F =900A,V GE =0V,T vj = 175 O C

1.50

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F = 800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj =25 O C

47.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

400

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

13.6

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F = 800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj =125 O C

82.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

401

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

26.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F = 800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj = 175 O C

110

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

413

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

34.8

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K