GD75PFX170C6SG,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

139

75

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

150

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

559

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

75

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

150

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

2000

V

Saya O

Arus Keluaran Purata 5 0Hz/60Hz,gelombang sinus

75

A

Saya FSM

Arus Lonjakan Maju t P =10ms @ T vj = 25O C @ T vj =150 O C

1440

1206

A

Saya 2t

Saya 2t-nilai,t P =10ms @ T vj =25 O C @ T vj =150 O C

10368

7272

A 2S

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum (inverter) Suhu Sambungan Maksimum (rectifier)

175

150

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C = 75A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C = 75A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C = 75A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =3.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

8.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.22

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C = 75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,t vj =25 O C

236

n

t r

Masa naik

42

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

356

n

t F

Waktu kejatuhan

363

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

17.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

11.7

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C = 75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,t vj =125 O C

252

n

t r

Masa naik

48

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

420

n

t F

Waktu kejatuhan

485

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

27.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

16.6

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C = 75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,t vj =150 O C

275

n

t r

Masa naik

50

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

432

n

t F

Waktu kejatuhan

524

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

27.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

17.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C ,V CC =1000V

,

V CEM ≤1700V

300

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F = 75A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.80

2.25

V

Saya F = 75A,V GE =0V,T vj =12 5O C

1.90

Saya F = 75A,V GE =0V,T vj =15 0O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F = 75A,

-di/dt=1290A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,t vj =25 O C

10.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

84

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

7.44

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F = 75A,

-di/dt=1100A/μs,V GE =- 15V L S =46 nH ,t vj =125 O C

20.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

87

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

16.1

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F = 75A,

-di/dt=1060A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,t vj =150 O C

22.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

97

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

19.2

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya C = 75A, t vj =150 O C

0.95

V

Saya r

Arus terbalik

t vj =150 O C ,V r =2000V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT -Inverter ) Sambungan-ke-Kes (setiap DIODE-inverter er) Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-rectif ier)

0.268 0.481 0.289

K/W

r thCH

kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -Inverter )Kes-ke-Penyerap Haba (setiap Diod-i nverter) Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-re ifier) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

m

Tork Pemasangan, Skrin:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G