GD75HFX170C1S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

136

75

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

150

A

P D

Maksimum Kuasa Perosakan @ t vj = 175 O C

539

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

75

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

150

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C = 75A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C = 75A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C = 75A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =3.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

8.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.22

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C = 75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, ls =60 nH ,t vj =25 O C

237

n

t r

Masa naik

59

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

314

n

t F

Waktu kejatuhan

361

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

25.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

9.5

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C = 75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, ls =60 nH ,t vj =125 O C

254

n

t r

Masa naik

70

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

383

n

t F

Waktu kejatuhan

524

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

33.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

15.1

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C = 75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, ls =60 nH ,t vj =150 O C

257

n

t r

Masa naik

75

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

396

n

t F

Waktu kejatuhan

588

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

36.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

16.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F = 75A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.80

2.25

V

Saya F = 75A,V GE =0V,T vj =12 5O C

1.90

Saya F = 75A,V GE =0V,T vj =15 0O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F = 75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15V ls =60 nH ,t vj =25 O C

16.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

58

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

7.2

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V ls =60 nH ,t vj =125 O C

30.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

64

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

15.8

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V ls =60 nH ,t vj =150 O C

31.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

64

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

18.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

30

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.65

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.278 0.467

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.160 0.268 0.050

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi modul

150

G