GD750HFA120C6S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =100 O C

750

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1500

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

3125

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

900

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1500

A

Saya FSM

Arus Lonjakan Maju t P =10ms @ T vj = 25O C @ T vj =150 O C

3104

2472

A

Saya 2t

Saya 2t- nilai ,t P =10 Ms @ t vj =25 O C @ T vj =150 O C

48174

30554

A 2S

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =750A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.35

1.85

V

Saya C =750A,V GE =15V, t vj =125 O C

1.55

Saya C =750A,V GE =15V, t vj = 175 O C

1.55

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

0.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

85.2

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.45

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =750A,

r G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,t vj =25 O C

238

n

t r

Masa naik

76

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

622

n

t F

Waktu kejatuhan

74

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

68.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

52.8

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =750A, r G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,t vj =125 O C

266

n

t r

Masa naik

89

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

685

n

t F

Waktu kejatuhan

139

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

88.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

67.4

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =750A, r G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,t vj = 175 O C

280

n

t r

Masa naik

95

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

715

n

t F

Waktu kejatuhan

166

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

102

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

72.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤8μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

A

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

t vj = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =750A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.60

2.05

V

Saya F =750A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.65

Saya F =750A,V GE =0V,T vj = 175 O C

1.65

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj =25 O C

79.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

369

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

23.3

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj =125 O C

120

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

400

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

39.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj = 175 O C

151

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

423

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

49.7

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.80

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.048 0.088

K/W

r thCH

kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT )Case-to-Heatsink (p er Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.028 0.051 0.009

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat bagi modul

350

G