GD600SGU120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 70 O C

857

600

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =150 O C

4310

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

600

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1200

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =600A,V GE =15V, t vj =25 O C

3.00

3.45

V

Saya C =600A,V GE =15V, t vj =125 O C

3.80

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =12 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

4.8

5.8

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.31

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

43.6

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

2.72

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15V…+15V

8.32

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.5Ω, V GE =±15V, ls =50 nH ,t vj =25 O C

317

n

t r

Masa naik

76

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

548

n

t F

Waktu kejatuhan

55

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

20.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

34.2

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.5Ω, V GE =±15V, ls =50 nH ,t vj =125 O C

325

n

t r

Masa naik

79

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

595

n

t F

Waktu kejatuhan

59

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

27.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

38.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =600A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =600A,

-di/dt=7745A/μs,V GE =-15V, ls =50 nH ,t vj =25 O C

58.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

489

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

28.1

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =600A,

-di/dt=7355A/μs,V GE =-15V, ls =50 nH ,t vj =25 O C

100

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

563

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

48.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.35

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.029 0.069

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.014 0.034 0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G