Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Laman Utama /  Produk  /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1700V

GD600HFX170C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT,1700V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX170C6S
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1700V 600A.

Ciri-ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • Keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Suhu sambungan maksimum 175oC
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Tipikal Permohonan

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Kolektor Semasa @ t C =25 O C

@ t C = 100O C

1069

600

A

Saya CM

Berdenyut Kolektor Semasa t P =1 Ms

1200

A

P D

Maksimum Kuasa Perosakan @ t j = 175 O C

4166

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Arus Terus Diode

600

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1200

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu maksimum persimpangan perancangan

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 kepada +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 kepada +125

O C

V ISO

Pengasingan voltan RMS ,f=50 Hz , t=1 Min

4000

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE (sat )

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =600A, V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =600A, V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =600A, V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 12.0mA ,V CE = V GE ,t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Pemotongan Kolektor

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V,

t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.1

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

72.3

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.75

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

5.66

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V, Saya C =600A, r G = 1.0Ω, V GE =±15V, t j =25 O C

160

n

t r

Masa naik

67

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

527

n

t F

Waktu kejatuhan

138

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

154

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

132

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V, Saya C =600A, r G = 1.0Ω, V GE =±15V, t j = 125O C

168

n

t r

Masa naik

80

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

585

n

t F

Waktu kejatuhan

168

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

236

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

189

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V, Saya C =600A, r G = 1.0Ω, V GE =±15V, t j = 150O C

192

n

t r

Masa naik

80

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

624

n

t F

Waktu kejatuhan

198

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

259

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

195

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C ,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2400

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =600A, V GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =600A, V GE =0V, t j = 125O C

1.90

Saya F =600A, V GE =0V, t j = 150O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V, Saya F =600A,

-at /dt =6700A/μs, V GE =- 15V t j =25 O C

153

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

592

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

76.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V, Saya F =600A,

-at /dt =6700A/μs, V GE =- 15V t j =125 O C

275

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

673

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

150

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V, Saya F =600A,

-at /dt =6700A/μs, V GE =- 15V t j =150 O C

299

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

690

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

173

mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

ΔR/R

Pengecualian bagi r 100

t C = 100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

B- nilai

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

B- nilai

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

B- nilai

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC ’+ EE

Modul rintangan plumbum, terminal kepada Chip

1.10

r thJC

Sambungan -kepada -Kes (per IGBT )

Sambungan -kepada -Kes (per Dioda )

0.036

0.073

K/W

r thCH

Kes -kepada -Pencuci haba (per IGBT )

Kes -kepada -Pencuci haba (per Dioda )

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.027

0.055

0.009

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Pemasangan Tork , Skrup m 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat modul

350

G

Gambaran Ringkas

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000