GD600HFX120C2SAD_B20 , Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

Voltaj Gerbang-Emitor Transien

±20 ±30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1096

600

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

3947

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Arus Muka Depan Diod Berterusan ent

600

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1200

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =600A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =600A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.05

Saya C =600A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.15

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.25

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

64.7

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

1.88

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

5.38

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G = 1.5Ω, L S =50 nH , V GE = ± 15V,T vj =25 O C

314

n

t r

Masa naik

105

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

527

n

t F

Waktu kejatuhan

151

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

63.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

53.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G = 1.5Ω, L S =50 nH , V GE = ± 15V,T vj =125 O C

350

n

t r

Masa naik

117

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

591

n

t F

Waktu kejatuhan

315

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

96.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

72.2

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G = 1.5Ω, L S =50 nH , V GE = ± 15V,T vj =150 O C

359

n

t r

Masa naik

120

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

604

n

t F

Waktu kejatuhan

328

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

105

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

75.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =600A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.65

2.10

V

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.65

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.60

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =600A,

-di/dt=5130A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =25 O C

38.6

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

313

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

10.8

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =600A,

-di/dt=4440A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =125 O C

76.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

368

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

22.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =600A,

-di/dt=4240A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =150 O C

88.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

387

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

26.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.42

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.038 0.068

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.031 0.056 0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi modul

320

G