Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

laman utama /  Produk /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD600HFX120C2SA , Modul IGBT, STARPOWER

1200V 600A,Pakej:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX120C2SA
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
  • Skematik Litar Setara
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 600A.

Ciri-ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • Keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Suhu sambungan maksimum 175oC
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Tapak tembaga berasingan menggunakan teknologi HPS DBC

Pembolehubah Tipikal

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

Voltaj Gerbang-Emitor Transien

±20 ±30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

925

600

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

3000

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

600

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

1200

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =600A,V GE =15V, t j =25 O C

1.65

2.00

V

Saya C =600A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =600A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.25

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

60.8

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

1.84

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

4.64

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.2Ω, L S =34 nH , V GE = ± 15V,T j =25 O C

339

n

t r

Masa naik

95

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

468

n

t F

Waktu kejatuhan

168

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

63.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

56.4

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.2Ω, L S =34 nH , V GE = ± 15V,T j =125 O C

418

n

t r

Masa naik

135

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

567

n

t F

Waktu kejatuhan

269

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

108

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

72.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =600A, r G =1.2Ω, L S =34 nH , V GE = ± 15V,T j =150 O C

446

n

t r

Masa naik

151

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

602

n

t F

Waktu kejatuhan

281

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

123

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

78.2

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

Saya F =600A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5210A/μs,V GE =-15V, L S =34 nH ,t j =25 O C

49.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

300

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

24.1

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=3490A/μs,V GE =-15V, L S =34 nH ,t j =125 O C

85.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

314

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

33.8

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=3080A/μs,V GE =-15V, L S =34 nH ,t j =150 O C

102

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

318

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

36.8

mJ

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.050 0.080

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.033 0.052 0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G

Gambaran Ringkas

Skematik Litar Setara

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000