GD50PIX170C6SA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

100

50

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

100

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

384

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

50

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

100

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1600

V

Saya O

Arus Keluaran Purata 5 0Hz/60Hz,gelombang sinus

50

A

Saya FSM

Arus Suruhan Ke Hadapan V r =0V,T P =10ms,T j =45 O C

850

A

Saya 2t

Saya 2Nilai t,V r =0V,T P =10m s,T j =45 O C

3610

A 2S

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

100

50

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

100

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

384

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

50

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

100

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum (inverter,pembrem) Suhu Sambungan Maksimum (rectifier)

175

150

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =50A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =50A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =50A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Resis Dalaman Pintu tance

9.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.15

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

163

n

t r

Masa naik

44

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

290

n

t F

Waktu kejatuhan

347

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

12.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

7.28

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

186

n

t r

Masa naik

51

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

361

n

t F

Waktu kejatuhan

535

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

17.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

11.1

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

192

n

t r

Masa naik

52

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

374

n

t F

Waktu kejatuhan

566

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

20.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

12.0

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =50A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =50A,V GE =0V,T j =125 O C

1.95

Saya F =50A,V GE =0V,T j =150 O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

11.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

48

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

6.08

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

20.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

52

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

11.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

23.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

54

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

13.1

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =50A, V GE =0V, t j =150 O C

1.14

V

Saya r

Arus terbalik

t j =150 O C,V r =1600V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =50A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =50A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =50A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

9.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.15

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

163

n

t r

Masa naik

44

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

290

n

t F

Waktu kejatuhan

347

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

12.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

7.28

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

186

n

t r

Masa naik

51

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

361

n

t F

Waktu kejatuhan

535

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

17.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

11.1

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

192

n

t r

Masa naik

52

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

374

n

t F

Waktu kejatuhan

566

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

20.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

12.0

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =50A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =50A,V GE =0V,T j =125 O C

1.95

Saya F =50A,V GE =0V,T j =150 O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

11.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

48

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

6.08

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

20.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

52

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

11.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

23.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

54

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

13.1

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

60

nH

r CC’+EE’ r AA ’+ CC ’

Rintangan Pemimpin Modul nce,Penghujung ke Cip

4.00 2.00

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT -Inverter ) Sambungan-ke-Kes (setiap DIODE-inverter er) Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-rectif ier) Sambungan -kepada -kes (perIGBT -Brake )

Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-br ake)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

r thCH

kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -Inverter )Kes-ke-Penyerap Haba (setiap Diod-i nverter) Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-re ifier) kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -Brake )

Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Dio de-brake) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

m

Tork Pemasangan, Skrin:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G