Modul IGBT 1700V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

648

400

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

800

A

P D

Pelepasan Kuasa Maksimum t = 175 O C

2380

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

400

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

800

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =400A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.88

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

48.2

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.17

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15V…+15V

3.77

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =400A, r G =0.82Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

204

n

t r

Masa naik

38

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

425

n

t F

Waktu kejatuhan

113

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

97.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

84.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =400A, r G =0.82Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

208

n

t r

Masa naik

50

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

528

n

t F

Waktu kejatuhan

184

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

141

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

132

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =400A, r G =0.82Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

216

n

t r

Masa naik

50

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

544

n

t F

Waktu kejatuhan

204

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

161

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

137

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 100V, V CEM ≤1700V

1600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j =125 O C

1.90

Saya F =400A,V GE =0V,T j =150 O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

116

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

666

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

63.8

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

187

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

662

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

114

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V t j =150 O C

209

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

640

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

132

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

15

nH

r CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.18

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.063

0.105

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Sambungan Terminal Tork, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G