GD400HTX120P6H,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya CN

Pelabur Cu yang dilaksanakan rental

400

A

Saya C

Arus Pengumpul @ T F =120 O C

250

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

800

A

P D

Pembahagian Kuasa Maksimum ation @ t F =75 O C t j = 175 O C

970

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltan terbalik puncak berulang GE

1200

V

Saya FN

Pelabur Cu yang dilaksanakan rental

400

A

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

250

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

800

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu persimpangan operasi berterusan

Untuk 10s dalam satu tempoh 30s, kejadian maksimum 3000 kali sepanjang hayat saya

-40 hingga +150 +150 hingga +175

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

D Creep

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

9.0 9.0

mm

D jelas

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

4.5 4.5

mm

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =250A,V GE =15V, t j =25 O C

1.45

1.80

V

Saya C =250A,V GE =15V, t j =125 O C

1.65

Saya C =250A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

Saya C =380A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

Saya C =380A,V GE =15V, t j =150 O C

2.15

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =9.75 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

2.4

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

33.6

NF

C oes

Kapacitans Output

1.43

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.82

NF

Q G

Bayaran pintu

V CE =600V,I C =250A, V GE =-8...+15V

1.98

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 250A, r G =2.2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j =25 O C

231

n

t r

Masa naik

50

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

545

n

t F

Waktu kejatuhan

172

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

19.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

23.2

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 250A, r G =2.2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j =125 O C

241

n

t r

Masa naik

57

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

619

n

t F

Waktu kejatuhan

247

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

26.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

28.7

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 250A, r G =2.2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j =150 O C

245

n

t r

Masa naik

57

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

641

n

t F

Waktu kejatuhan

269

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

30.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

30.9

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =250A,V GE =0V,T j =25 O C

1.50

1.90

V

Saya F =250A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.45

Saya F =250A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.40

Saya F =380A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

Saya F =380A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F = 250A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,t j =25 O C

9.10

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

160

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

4.39

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F = 250A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,t j =125 O C

21.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

192

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

8.43

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F = 250A,

-di/dt=4120A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,t j =150 O C

25.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

203

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

9.97

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

8

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.75

mΩ

△ P

△ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,t F =75 O C

64

mbar

P

Tekanan Maksimum dalam Kerangka Pendinginan Cute

2.5

bar

r thJF

Sambungan-ke-Tinjauan Cair (per IGBT) Junction-to-Cooling Fluid (per D iode) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,t F =75 O C

0.090 0.126

0.103 0.145

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skru M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Berat bagi modul

750

G