Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

laman utama /  Produk /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD400CLX120C2S,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT,1200V 400A, Pakej:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CLX120C2S
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 400A.

Ciri-ciri

  • teknologi NPT IGBT
  • Keupayaan litar pintas 10μs
  • Kerugian pertukaran rendah
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

636

400

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

2083

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

400

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

800

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.75

2.20

V

Saya C =400A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.00

Saya C =400A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.05

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =14.4 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

37.3

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

1.04

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

2.80

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj =25 O C

223

n

t r

Masa naik

49

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

334

n

t F

Waktu kejatuhan

190

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

17.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

28.7

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj =125 O C

230

n

t r

Masa naik

54

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

385

n

t F

Waktu kejatuhan

300

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

29.4

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

41.2

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, r G =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj =150 O C

228

n

t r

Masa naik

57

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

393

n

t F

Waktu kejatuhan

315

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

32.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

42.9

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1600

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =400A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =400A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =400A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=8030A/μs, L S =50nH, V GE =-15V, t vj =25 O C

33.6

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

374

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

13.6

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=7030A/μs, L S =50nH, V GE =-15V, t vj =125 O C

67.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

446

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

28.2

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=6880A/μs, L S =50nH, V GE =-15V, t vj =150 O C

75.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

452

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

31.4

mJ

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.072 0.113

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.023 0.036 0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G

Gambaran Ringkas

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000