GD400CLU120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 400A.

Ciri-ciri

Pembolehubah Tipikal

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =60 O C	519 400	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms	800	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =150 O C	2450	W

Dioda

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V RRM	Voltaj Balik Puncak Berulang Umur	1200	V
Saya F	Dioda berterusan ke hadapan Cu rental	400	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	800	A

modul

Simbol	Penerangan	nilai	unit
t vjmax	Suhu Sambungan Maksimum	150	O C
t vjop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +125	O C
t STG	Julat Suhu Penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =400A,V GE =15V, t vj =25 O C		2.90	3.35	V
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =400A,V GE =15V, t vj =125 O C		3.60		V
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =16.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C	4.5	5.5	6.5	V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C			400	nA
r Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			0.6		Ω
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		26.0		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		1.70		NF
Q G	Bayaran pintu	V GE =-15…+15V		4.2		μC
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =400A, r G =2.2Ω, L S =30 nH , V GE = ± 15V,T vj =25 O C		252		n
t r	Masa naik			63		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			427		n
t F	Waktu kejatuhan			44		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			24.7		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			16.5		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =400A, r G =2.2Ω, L S =30 nH , V GE = ± 15V,T vj =125 O C		258		n
t r	Masa naik			65		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			465		n
t F	Waktu kejatuhan			57		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			35.2		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			22.6		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs, V GE =15V, t vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		1600		A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =400A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =400A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.90		V
Q r	Caj Dipulihkan	V r =600V,I F =400A, -di/dt=6540A/μs, L S =30nH, V GE =-15V, t vj =25 O C		38.9		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			401		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			13.8		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V r =600V,I F =400A, -di/dt=6300A/μs, L S =30nH, V GE =-15V, t vj =125 O C		68.0		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			444		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			26.2		mJ

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit
L CE	Induktans Terbuang			30	nH
r CC’+EE’	Modul rintangan plumbum, terminal ke cip		0.35		mΩ
r thJC	Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)			0.051 0.114	K/W
r thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)		0.019 0.042 0.010		K/W
m	Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Berat bagi modul		300		G