GD300MPX120C6SA,Modul IGBT,STARPOWER

Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 300A.

Ciri-ciri

teknologi NPT IGBT
Keupayaan litar pintas 10μs
Kerugian pertukaran rendah
VCE(sat) dengan pekali suhu positif
Kes induktans rendah
Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

Tenaga solar
UPS
Aplikasi 3-Tahap

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Inverter IGBT

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C	468 300	A
Saya CRM	Ulang Puncak Kolektor Semasa tp terhad oleh t vjop	600	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C	1530	W

Inverter dioda

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V RRM	Voltaj Balik Puncak Berulang Umur	1200	V
Saya F	Dioda berterusan ke hadapan Cu rental	300	A
Saya Pendapatan	Ulang Puncak Maju Semasa tp terhad oleh t vjop	600	A

Diode-3-tahap

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V RRM	Voltaj Balik Puncak Berulang Umur	1200	V
Saya F	Dioda berterusan ke hadapan Cu rental	300	A
Saya Pendapatan	Ulang Puncak Maju Semasa tp terhad oleh t vjop	600	A

modul

Simbol	Penerangan	nilai	unit
t vjmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	O C
t vjop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Julat Suhu Penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT -Inverter Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =300A,V GE =15V, t vj =25 O C		1.70	2.15	V
		Saya C =300A,V GE =15V, t vj =125 O C		1.95
		Saya C =300A,V GE =15V, t vj =150 O C		2.00
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =12.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C			400	nA
r Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			2.5		Ω
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		31.1		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.87		NF
Q G	Bayaran pintu	V GE =-15 ...+15V		2.33		μC
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =300A, r G =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =25 O C		215		n
t r	Masa naik			53		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			334		n
t F	Waktu kejatuhan			205		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			21.5		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			20.7		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =300A, r G =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =125 O C		231		n
t r	Masa naik			59		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			361		n
t F	Waktu kejatuhan			296		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			30.1		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			28.1		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =300A, r G =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =150 O C		240		n
t r	Masa naik			62		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			376		n
t F	Waktu kejatuhan			311		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			32.9		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			29.9		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs, V GE =15V, t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		1200		A

Dioda -Inverter Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =300A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
		Saya F =300A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.90
		Saya F =300A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.95
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =300A, -di⁄dt=2937A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =25 O C		36.3		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			235		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			15.7		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =300A, -di⁄dt=2720A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =125 O C		61.3		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			257		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			27.5		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =300A, -di⁄dt=2616A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =150 O C		68.8		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			262		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			30.8		mJ

Dioda -3- Tahap Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =300A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
		Saya F =300A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.90
		Saya F =300A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.95
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =300A, -di⁄dt=5683A⁄μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =25 O C		36.2		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			290		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			13.4		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =300A, -di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =125 O C		56.6		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			301		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			22.2		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =300A, -di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =150 O C		65.9		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			306		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			26.3		mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
r 25	Rintangan bertaraf			5.0		kΩ
∆R/R	Pengecualian bagi r 100	t C =100 O C R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Kuasa Perosakan				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit
L CE	Induktans Terbuang		35		nH
r CC’+EE’	Modul rintangan plumbum, terminal ke cip		1.45		mΩ
r thJC	Sambungan -kepada -kes (perIGBT -Inverter ) Sambungan-ke-Kes (setiap Dioda-invert er) Sambungan-ke-Kes (setiap Dioda-3-ka tar)			0.098 0.176 0.176	K/W
r thCH	Kes-ke-Penyerap (setiap IGBT-in verter) Kes-ke-Penyerap (setiap Dioda-i nverter) Kes-ke-Penyerap (setiap Dioda-3- aras) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.033 0.059 0.059 0.009		K/W
m	Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Berat bagi modul		350		G